[發(fā)明專利]器件加工方法、MEMS器件及其加工方法以及MEMS麥克風(fēng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110606135.2
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113055808B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閭新明;徐澤洋;魯列微;石磊
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號: H04R31/00
• 分類號: H04R31/00;H04R19/00;H04R19/04
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種器件加工方法，其特征在于，所述器件加工方法包括在一襯底上形成導(dǎo)電膜層，并在所述導(dǎo)電膜層上形成相互電性連接的電極，所述導(dǎo)電膜層的電勢低于所述電極的電勢；以及，

所述器件加工方法還包括：對所述襯底執(zhí)行離子注入工藝，以使注入?yún)^(qū)的電勢低于所述導(dǎo)電膜層的電勢而構(gòu)成低電勢區(qū)，并且所述導(dǎo)電膜層電性連接至所述低電勢區(qū)；以及，執(zhí)行濕法刻蝕工藝，并且在刻蝕過程中所述導(dǎo)電膜層、所述電極和所述低電勢區(qū)均暴露于刻蝕液中；

其中，所述低電勢區(qū)具有位于所述導(dǎo)電膜層的端部正下方的內(nèi)圍部分，所述低電勢區(qū)還具有從所述導(dǎo)電膜層的端部正下方延伸出的外圍部分，所述內(nèi)圍部分和所述導(dǎo)電膜層的端部之間利用導(dǎo)電插塞電性連接，所述外圍部分在所述濕法刻蝕工藝中暴露于刻蝕液中。

2.如權(quán)利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，所述離子注入工藝為N型離子注入工藝，以形成N摻雜的所述低電勢區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的器件加工方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層為N摻雜導(dǎo)電層，并且所述低電勢區(qū)的離子摻雜濃度高于所述N摻雜導(dǎo)電層的離子摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，在執(zhí)行所述濕法刻蝕工藝之前，在所述導(dǎo)電膜層的下方和/或上方形成犧牲層；以及，執(zhí)行所述濕法刻蝕工藝以去除至少部分所述犧牲層，并暴露出所述導(dǎo)電膜層。

5.如權(quán)利要求1所述的器件加工方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層的材料包括多晶硅，所述電極的材料包括金。

6.一種MEMS器件的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：在一襯底上依次形成第一犧牲層、第一導(dǎo)電層、第二犧牲層和第二導(dǎo)電層；以及，形成第一電極和第二電極，所述第一電極電性連接所述第一導(dǎo)電層，所述第二電極電性連接所述第二導(dǎo)電層，其中，所述第一電極的電勢高于所述第一導(dǎo)電層的電勢，所述第二電極的電勢高于所述第二導(dǎo)電層的電勢；

所述加工方法還包括：對所述襯底執(zhí)行離子注入工藝，以使形成的至少一個注入?yún)^(qū)的電勢低于所述第一導(dǎo)電層的電勢而構(gòu)成第一低電勢區(qū)，并且所述第一導(dǎo)電層電性連接至所述第一低電勢區(qū)，其中，所述第一低電勢區(qū)具有位于所述第一導(dǎo)電層的端部正下方的內(nèi)圍部分，所述第一低電勢區(qū)還具有從所述第一導(dǎo)電層的端部正下方延伸出的外圍部分，所述第一低電勢區(qū)的內(nèi)圍部分和所述第一導(dǎo)電層的端部之間利用導(dǎo)電插塞電性連接；和/或，執(zhí)行所述離子注入工藝，以使形成的至少一個注入?yún)^(qū)的電勢低于所述第二導(dǎo)電層的電勢而構(gòu)成第二低電勢區(qū)，并且所述第二導(dǎo)電層電性連接至所述第二低電勢區(qū)，所述第二低電勢區(qū)具有位于所述第二導(dǎo)電層的端部正下方的內(nèi)圍部分，所述第二低電勢區(qū)還具有從所述第二導(dǎo)電層的端部正下方延伸出的外圍部分，所述第二低電勢區(qū)的內(nèi)圍部分和所述第二導(dǎo)電層的端部之間利用導(dǎo)電插塞電性連接；以及，

所述加工方法還包括：在執(zhí)行所述離子注入工藝之后，執(zhí)行濕法刻蝕工藝以至少部分去除所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，以在所述第一導(dǎo)電層的兩側(cè)均形成空腔，并且所述第一低電勢區(qū)的外圍部分和/或所述第二低電勢區(qū)的外圍部分在所述濕法刻蝕工藝中暴露于刻蝕液中。

7.如權(quán)利要求6所述的MEMS器件的加工方法，其特征在于，所述離子注入工藝為N型離子注入工藝，以形成N摻雜的所述第一低電勢區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的MEMS器件的加工方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為N摻雜導(dǎo)電層，并且所述第一低電勢區(qū)的離子摻雜濃度高于所述N摻雜導(dǎo)電層的離子摻雜濃度。

9.如權(quán)利要求6所述的MEMS器件的加工方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層為N摻雜導(dǎo)電層，所述第二低電勢區(qū)為N摻雜注入?yún)^(qū)，并且所述第二低電勢區(qū)的離子摻雜濃度高于所述N摻雜導(dǎo)電層的離子摻雜濃度。