[發(fā)明專利]一種阻變層材料、憶阻器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110605703.7 | 申請日： | 2021-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN113363383B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王琦;王正;鮮林燕;賀德衍 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘭州大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京元理果知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饒小平 |
| 地址： | 730000 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 阻變層 材料 憶阻器 及其 制備 方法 | ||
1.一種阻變層材料，其特征在于，包括：羧化殼聚糖、聚乙烯醇和硝酸銨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變層材料，其特征在于，還包括溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻變層材料，其特征在于，所述溶劑包括：去離子水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的阻變層材料，其特征在于，按重量份數(shù)計，包括：羧化殼聚糖6-54份、聚乙烯醇6-54份和硝酸銨40份，其中，羧化殼聚糖和聚乙烯醇的重量份數(shù)之和為60份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的阻變層材料，其特征在于，按重量份數(shù)計，包括：羧化殼聚糖36份、聚乙烯醇24份和硝酸銨40份；或者羧化殼聚糖48份、聚乙烯醇12份和硝酸銨40份。
6.權(quán)利要求1～5任一項所述的阻變層材料的制備方法，其特征在于，包括：將羧化殼聚糖、聚乙烯醇和硝酸銨溶于去離子水中，得到所述阻變層材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻變層材料的制備方法，其特征在于，每10mL去離子水中加入6～54mg羧化殼聚糖、6～54mg聚乙烯醇和40mg硝酸銨，其中羧化殼聚糖和聚乙烯醇的重量值和為60mg。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻變層材料的制備方法，其特征在于，每10mL去離子水中加入36mg羧化殼聚糖、24mg聚乙烯醇和40mg硝酸銨；或者每10mL去離子水中加入48mg羧化殼聚糖、12mg聚乙烯醇和40mg硝酸銨。
9.一種憶阻器，其特征在于，包括權(quán)利要求1～5任一項所述的阻變層材料形成的阻變層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻器，其特征在于，包括：第一電極、所述阻變層和第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的憶阻器，其特征在于，所述第一電極包括W電極，所述第二電極包括Ag電極，所述第一電極的厚度為50～100nm，所述阻變層的厚度為200～500nm，所述第二電極的厚度為50～100nm。
12.權(quán)利要求10或11所述的憶阻器的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成所述第一電極；
在所述第一電極上形成所述阻變層；
在所述阻變層上形成所述第二電極，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的憶阻器的制備方法，其特征在于，采用電子束蒸發(fā)工藝或濺射工藝形成所述第一電極和第二電極，采用旋涂工藝形成所述阻變層。
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