[發明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制備方法

在審

• 申請號: 202110604825.4
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113380833A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 張云天;張金方;劉權;鄭啟濤
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G09G3/32;G09G3/3208
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板設有顯示區域以及位于所述顯示區域外圍的邊框區域，所述陣列基板包括：

襯底；

圖案化的屏蔽層，設置在所述襯底的一側，包括位于所述顯示區域的第一屏蔽塊以及位于所述邊框區域的第二屏蔽塊，其中，所述第二屏蔽塊的厚度大于所述第一屏蔽塊的厚度，所述第一屏蔽塊用于隔絕靜電，所述第二屏蔽塊至少突出所述第一屏蔽塊的部分用于傳輸電信號；

半導體層，設置在所述屏蔽層背離所述襯底一側，其中，所述半導體層的有源區在所述襯底上的正投影與所述第一屏蔽塊在所述襯底上的正投影至少部分重合。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽層包括：

圖案化的第一屏蔽子層，位于所述顯示區域和所述邊框區域；

圖案化的第一導電子層，層疊設置于位于所述邊框區域的所述第一屏蔽子層背離所述襯底一側；

其中，位于所述顯示區域的所述第一屏蔽子層構成所述第一屏蔽塊，位于所述邊框區域的所述第一屏蔽子層和所述第一導電子層構成所述第二屏蔽塊。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子層和所述第一導電子層的材料不同。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子層的材料為半導體材料，優選地，所述半導體材料包括非晶硅。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子層的材料為導電材料。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽層還包括：

圖案化的第二導電子層，層疊設置于位于所述邊框區域的所述第一導電子層背離所述襯底一側，其中，位于所述邊框區域的所述第一屏蔽子層、所述第一導電子層和所述第二導電子層進一步構成所述第二屏蔽塊；

其中，所述第二導電子層的材料和所述第一屏蔽子層的材料相同。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電子層的厚度大于所述第一屏蔽子層的厚度。

8.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1至7任一項所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底一側形成圖案化的屏蔽層，所述屏蔽層包括位于顯示區域的第一屏蔽塊以及位于邊框區域的第二屏蔽塊，其中，所述第二屏蔽塊的厚度大于所述第一屏蔽塊的厚度，所述第一屏蔽塊用于隔絕靜電，所述第二屏蔽塊至少突出所述第一屏蔽塊的部分用于傳輸電信號；

在所述屏蔽層背離所述襯底一側設置半導體層，其中，所述半導體層的有源區在所述襯底上的正投影與所述第一屏蔽塊在所述襯底上的正投影至少部分重合。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底一側形成圖案化的屏蔽層的步驟，包括：

在所述襯底一側依次形成第一屏蔽子層、第一導電子層以及光刻膠層；

利用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光，其中，所述掩膜板包括與所述顯示區域對應的第一遮光區域以及與所述邊框區域對應的第二遮光區域，所述第一遮光區域的透光率大于所述第二遮光區域的透光率；

對經過曝光后的所述光刻膠層進行顯影，并以顯影后的所述光刻膠層為掩膜對所述第一導電子層、所述第一屏蔽子層進行刻蝕；

去除顯影后的所述光刻膠層直至對應所述顯示區域的所述第一導電子層裸露；

以剩余的所述光刻膠層為掩膜對所述第一導電子層進行刻蝕直至對應所述顯示區域的所述第一屏蔽子層裸露；

去除剩余的所述光刻膠層。