[發(fā)明專利]一種射頻開關(guān)器件、射頻電路及電子設(shè)備

在審

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• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113363382A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙碧瑤;畢津順;朱偉強;習(xí)凱;韓婷婷;田密
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京知迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種射頻開關(guān)器件，其特征在于，包括：形成在襯底上的阻變元件；所述阻變元件包括底電極、頂電極、以及至少位于所述底電極和所述頂電極之間的阻變層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述阻變元件還包括阻擋層；所述阻擋層至少位于所述頂電極和所述阻變層之間，或所述阻擋層至少位于所述底電極和所述阻變層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述阻擋層所含有的材料為二維材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述阻擋層包括多層石墨烯層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述襯底具有第一區(qū)域、以及與所述第一區(qū)域接觸的第二區(qū)域；所述底電極位于所述襯底具有的所述第一區(qū)域上；所述阻變層位于所述底電極上；所述頂電極位于所述襯底具有的所述第二區(qū)域的上方、以及位于部分所述阻變層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，在所述阻變元件還包括所述阻擋層，且所述阻擋層至少位于所述頂電極與所述阻變層之間的情況下，所述阻擋層至少形成在所述頂電極與所述阻變層、所述底電極和所述襯底之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述阻變層所含有的材料為HfO₂、Al₂O₃或Ta₂O₅；所述底電極和所述頂電極所含有的材料均為金屬材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的射頻開關(guān)器件，其特征在于，所述底電極和所述頂電極之間的正對面積為所述射頻開關(guān)器件具有的開關(guān)面積；所述開關(guān)面積為1μm²～100μm²；和/或，

所述射頻開關(guān)器件還包括形成在所述襯底上的GSG型電極；所述GSG型電極包括間隔設(shè)置的第一地電極、第二地電極、第一信號電極和第二信號電極；所述第一信號電極、所述第二信號電極和所述阻變元件均位于所述第一地電極和所述第二地電極之間；所述第一信號電極與所述底電極電連接，所述第二信號電極與所述頂電極電連接。

9.一種射頻電路，其特征在于，所述射頻電路包括權(quán)利要求1～8任一項所述的射頻開關(guān)器件。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求1～8任一項所述的射頻開關(guān)器件，或權(quán)利要求9所述的射頻電路。