[發(fā)明專利]一種霧化器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110604671.9 | 申請日: | 2021-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN113318307A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋雪峰 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南羽昇生物科技有限公司 |
| 主分類號: | A61M11/00 | 分類號: | A61M11/00 |
| 代理公司: | 深圳市六加知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44372 | 代理人: | 許銓芬 |
| 地址: | 410005 湖南省長沙市開福區(qū)沙坪街道中青路10*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 霧化器 | ||
1.一種霧化器,其特征在于,包括:
殼體,一側(cè)設(shè)有第一安裝口;
第一霧化發(fā)生組件,包括第一霧化件及第一腔體,所述第一霧化件設(shè)于所述第一腔體內(nèi),所述第一腔體的一端安裝于所述殼體的第一安裝口,所述腔體的另一端設(shè)有第一出霧口;
儲液箱,設(shè)置于所述殼體內(nèi),所述儲液箱可相對所述第一安裝口轉(zhuǎn)動,所述儲液箱底部延伸有隔板,所述隔板將所述儲液箱分成第一儲液倉和第二儲液倉,所述第一儲液倉設(shè)有第一出液口,所述第二儲液倉設(shè)有第二出液口;
主控電路,與所述第一霧化件連接,用于控制所述第一霧化件振動,以將所述第一儲液倉或所述第二儲液倉的液體轉(zhuǎn)化成霧狀顆粒并通過所述第一出霧口輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化器,其特征在于,所述殼體還包括第二安裝口,所述第二安裝口與所述第一安裝口相對設(shè)置,所述霧化器還包括第二霧化發(fā)生組件;
所述第二霧化發(fā)生組件包括第二霧化件及第二腔體,所述第二霧化件設(shè)于所述第二腔體內(nèi),所述第二腔體的一端安裝于所述殼體的第二安裝口,所述第二腔體的另一端設(shè)有第二出霧口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化器,其特征在于,所述主控電路包括:
控制器,用于輸出控制信號;
霧化件驅(qū)動電路,所述霧化件驅(qū)動電路的輸入端與所述控制器連接,所述霧化件驅(qū)動電路的輸出端與所述第一霧化件連接,所述第一霧化件驅(qū)動電路用于根據(jù)所述控制信號,輸出驅(qū)動信號,以使所述第一霧化件根據(jù)所述驅(qū)動信號,進行振動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的霧化器,其特征在于,所述第一霧化件包括壓電換能片及篩網(wǎng)片;
所述壓電換能片與所述篩網(wǎng)片貼合設(shè)置,所述壓電換能片設(shè)有第一電極端,所述篩網(wǎng)片設(shè)有第二電極端,所述第一電極端及所述第二電極端與所述霧化件驅(qū)動電路的輸出端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化器,其特征在于,所述霧化件驅(qū)動電路包括升壓電路、振蕩電路及掃頻電路;
所述升壓電路用于分別與輸入電源、所述控制器及所述第一霧化件連接,用于對所述輸入電源的電壓進行升壓處理,得到升壓電壓;
所述振蕩電路分別與所述升壓電路、所述控制器及所述第一霧化件連接,用于根據(jù)所述控制器輸出的控制信號,將所述升壓電壓轉(zhuǎn)換成振蕩電壓施加在所述第一霧化件,以使所述第一霧化件振動;
所述掃頻電路分別與所述控制器及所述振蕩電路連接,用于獲取與所述第一霧化件的振動頻率對應(yīng)的電壓信號,并且將所述電壓信號輸出給所述控制器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的霧化器,其特征在于,所述升壓電路包括第一電感、升壓芯片、第一二極管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容及第三電容;
所述第一電感及所述第一電容的一端用于與輸入電源連接,所述第一電容的另一端接地,所述第一電感的另一端分別與所述升壓芯片及所述第一二極管的陽極連接,所述第一二極管的陰極、所述第一電阻的一端、所述第二電容的一端及所述第三電容的一端共同連接,所述第一電阻的另一端分別與所述升壓芯片及所述第二電阻的一端連接,所述第二電阻的另一端、所述第二電容的另一端及所述第三電容的另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的霧化器,其特征在于,所述振蕩電路包括第二電感、第一MOS管及第四電容;
所述第二電感的一端與所述第一二極管的陰極連接,所述第二電感的另一端分別與所述第一MOS管的漏極及所述第四電容的一端連接,所述第四電容的另一端與所述霧化件的正極連接,所述第一MOS管的柵極與所述控制器連接,所述第一MOS管的源極接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于湖南羽昇生物科技有限公司,未經(jīng)湖南羽昇生物科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110604671.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





