[發明專利]晶圓鍵合方法

在審

• 申請號: 202110604607.0
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113345803A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 趙志遠;袁紳豪;劉武;劉淼
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/263;H01L21/324
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種晶圓鍵合方法，包括：

在等離子體腔室中生成等離子體以對第一晶圓的第一表面和第二晶圓的第二表面進行激活處理；

在所述生成等離子體之前或者所述生成等離子體的同時向所述等離子體腔室中引入水汽；以及

將激活處理后的所述第一晶圓的所述第一表面和所述第二晶圓的所述第二表面結合。

2.根據權利要求1所述的方法，所述在等離子體腔室中生成等離子體的步驟包括：向所述等離子體腔室中通入氣體；將所述等離子體腔室內的電極通電，以使所述氣體生成等離子體；

在通入所述氣體后、在將所述電極通電前，向所述等離子體腔室中引入所述水汽。

3.根據權利要求2所述的方法，所述氣體為氮氣、氧氣和氬氣中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的方法，向所述等離子體腔室中引入所述水汽的方法包括：

提供載體氣體；以及

將所述載體氣體通入水溶液后再通入所述等離子體腔室內。

5.根據權利要求4所述的方法，所述載體氣體為惰性氣體。

6.根據權利要求4所述的方法，所述載體氣體為能夠生成所述等離子體的氣體。

7.根據權利要求6所述的方法，所述載體氣體為氮氣、氧氣和氬氣中的一種或多種。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括對所結合的所述第一晶圓和所述第二晶圓進行退火處理。

9.根據權利要求8所述的方法，所述退火處理的溫度為100-400℃，退火時間為1-5小時。

10.根據權利要求1所述的方法，在所述激活處理之后、將所述第一晶圓與所述第二晶圓結合之前，還包括：對所述第一晶圓的所述第一表面和所述第二晶圓的所述第二表面進行清洗處理。

11.根據權利要求10所述的方法，利用去離子水進行所述清洗。

12.根據權利要求1所述的方法，在所述激活處理之前還包括：對所述第一晶圓的所述第一表面和所述第二晶圓的所述第二表面進行清洗處理。

13.根據權利要求12所述的方法，利用去離子水進行所述清洗。

14.根據權利要求1所述的方法，在所述生成等離子體之前向所述等離子體腔室中引入所述水汽包括周期性引入所述水汽。

15.根據權利要求1所述的方法，所述第一晶圓包括存儲單元陣列和外圍電路陣列中的一個，并且所述第二晶圓包括所述存儲單元陣列和所述外圍電路陣列中的另一個。