[發明專利]一種發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 202110604191.2
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113345993B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 蔡琳榕;楊力勛
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

基板，具有相對設置的第一表面和第二表面；

第一反射層，設置于所述基板的上方；

第一絕緣層，設置于部分所述第一反射層的上方；

金屬阻擋層，設置于部分所述第一絕緣層的上方，且所述金屬阻擋層包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于形成所述發光二極管的外延層的發光區的下方，所述第二部分位于形成所述發光二極管的電極的電極區的下方，所述第一部分與所述第二部分形成連續結構；

第二反射層，設置于所述金屬阻擋層的第一部分的部分表面上，且由所述金屬阻擋層的第一部分包覆；

外延層，位于所述第二反射層及除所述第二反射層之外的所述金屬阻擋層的第一部分的上方，所述外延層依次包括第二半導體層、有源層和第一半導體層，所述第一反射層貫穿所述第二半導體層、有源層和部分第一半導體層，并與所述第一半導體層形成電性連接；所述有源層形成所述發光二極管的發光區；

其中，在所述基板的第一表面的投影中，所述金屬阻擋層的第一部分的至少部分邊緣線位于所述發光區的邊緣線的內側，所述金屬阻擋層的第二部分的邊緣線位于所述發光區的邊緣線的外側。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金屬阻擋層的第二部分的邊緣線位于所述電極區的邊緣線的外側。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層的第二部分的邊緣線與所述電極區的邊緣線之間的距離介于3~15 μm。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金屬阻擋層的第一部分的邊緣線位于所述第二反射層的邊緣線的外側。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金屬阻擋層的第一部分的邊緣線距離所述第二反射層的邊緣線的距離介于2~4 μm。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層的第一部分在除包覆所述第二反射層之外的區域上形成有凹槽，所述凹槽貫穿所述金屬阻擋層，且至少部分所述第一反射層設置于所述凹槽的正下方。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述凹槽設置于所述金屬阻擋層的第一部分的邊緣區域。

8.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述凹槽設置于所述金屬阻擋層的第一部分的邊緣位置，且所述凹槽形成為多個獨立的凹槽。

9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，多個所述凹槽均勻分布于所述金屬阻擋層的第一部分的邊緣位置。

10.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述第一反射層包括第一部分和第二部分，所述第一反射層的第一部分與所述第一半導體層形成電性接觸，所述第一反射層的第二部分設置于所述凹槽的正下方。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層的材料包括Ti、Pt、Au或Cr中的一種或至少兩種組成的合金，所述基板與所述第一反射層之間設置有金屬鍵合層。

12.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，還包括：第二絕緣層，所述第二絕緣層設置于所述第二反射層的上方，并且所述第二絕緣層內嵌有透明導電層，所述透明導電層與所述第二反射層連接。