[發(fā)明專利]存儲器器件、集成電路器件和操作存儲器單元的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110603535.8
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113380307A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊柏峰;林佑明;呂士濂;賈漢中;楊世海;黃家恩;王奕
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器器件，包括：

位線；

源極線；

多個字線；以及

存儲器單元，

其中，

所述存儲器單元包括并聯(lián)連接在所述位線和所述源極線之間的多個存儲器串，并且

所述多個存儲器串中的每一個包括串聯(lián)連接在所述位線和所述源極線之間、并且對應(yīng)地電連接至所述多個字線的多個存儲器元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，

每個所述存儲器串的所述多個存儲器元件的每個存儲器元件可編程為具有不同的電阻值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，

每個所述存儲器串的所述多個存儲器元件的每個存儲器元件獨(dú)立于所述存儲器單元中的其他存儲器元件而單獨(dú)地可編程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，

所述多個字線包括第一字線和第二字線，

所述存儲器單元包括第一存儲器串和第二存儲器串，

所述第一存儲器串和第二存儲器串中的每一個包括串聯(lián)連接在所述位線和所述源極線之間的第一存儲器元件和第二存儲器元件，并且

所述第一存儲器串和第二存儲器串的所述第一存儲器元件電連接至所述第一字線，并且所述第一存儲器串和第二存儲器串的所述第二存儲器元件電連接至所述第二字線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器器件，其中

每個所述第一存儲器串和第二存儲器串的每個所述第一存儲器元件和第二存儲器元件單獨(dú)地可編程為具有第一不同的電阻值和第二不同的電阻值，并且

所述存儲器單元可編程為具有六個不同的總電阻值。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器器件，其中

所述第一存儲器串的所述第一存儲器元件電連接在所述位線和第一節(jié)點(diǎn)之間，

所述第一存儲器串的所述第二存儲器元件電連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述源極線之間，

所述第二存儲器串的所述第一存儲器元件電連接在所述源極線和第二節(jié)點(diǎn)之間，以及

所述第二存儲器串的所述第二存儲器元件電連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述位線之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器器件，還包括：

其他存儲器單元；以及

其他源極線，

其中，

所述多個字線包括第一其他字線和第二其他字線，

所述其他存儲器單元包括第一其他存儲器串和第二其他存儲器串，

所述第一其他存儲器串和第二其他存儲器串中的每一個包括串聯(lián)連接在所述位線和所述其他源極線之間的第一其他存儲器元件和第二其他存儲器元件，并且

所述第一其他存儲器串和第二其他存儲器串的所述第一其他存儲器元件電連接至所述第一其他字線，并且所述第一其他存儲器串和第二其他存儲器串的所述第二其他存儲器元件電連接至所述第二其他字線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器器件，其中，

所述第一其他存儲器串的所述第一其他存儲器元件電連接在所述位線和第一其他節(jié)點(diǎn)之間，

所述第一其他存儲器串的所述第二其他存儲器元件電連接在所述第一其他節(jié)點(diǎn)和所述其他源極線之間，

所述第二其他存儲器串的所述第一其他存儲器元件電連接在所述其他源極線和第二其他節(jié)點(diǎn)之間，以及

所述第二其他存儲器串的所述第二其他存儲器元件電連接在所述第二其他節(jié)點(diǎn)和所述位線之間。