[發明專利]存儲器刷新補償方法、裝置、補償電路及存儲器件

有效

• 申請號: 202110602709.9
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113223602B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 王小光
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C8/08
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 李嬌

1.一種存儲器刷新補償方法，其特征在于，應用于動態隨機存儲器，所述動態隨機存儲器包括M個存儲區域，M為大于或等于1的整數，且每個所述存儲區域分別對應設置有ECC模塊，所述方法包括：

分別獲取每個存儲區域的ECC模塊輸出的報錯信息，并基于所述報錯信息分別對每個所述存儲區域中的數據存儲錯誤進行統計；

分別檢測每個所述存儲區域的累計錯誤數量是否達到預設閾值，將累計錯誤數量達到預設閾值的存儲區域確定為目標存儲區域；

將所述目標存儲區域的同步刷新行數從默認行數調整為設定行數，啟動對刷新指令的計數，并將所述目標存儲區域對應的當前錯誤統計數量清零，其中，所述設定行數為所述默認行數的2^N倍，N為大于或等于1的整數；

若所述刷新指令的累計數量達到目標值，則將所述目標存儲區域的同步刷新行數恢復到默認行數。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述報錯信息分別對每個所述存儲區域中的數據存儲錯誤進行統計，包括：

基于所述報錯信息確定所述存儲區域的ECC模塊檢測到的錯誤類型；

若所述錯誤類型為可修復錯誤類型，則將所述存儲區域的累計錯誤數量增加第一預設個數；

若所述錯誤類型為不可修復錯誤，則將所述存儲區域的累計錯誤數量增加第二預設個數，其中，所述第二預設個數大于所述第一預設個數。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述目標存儲區域的同步刷新行數從默認行數調整為設定行數，包括：

若所述目標存儲區域的累計錯誤數量大于或等于第一預設閾值且小于第二預設閾值，則將所述目標存儲區域的同步刷新行數從所述默認行數調整為第一設定行數；

若所述目標存儲區域的累計錯誤數量大于第二預設閾值，則將所述目標存儲區域的同步刷新行數從所述默認行數調整為第二設定行數，其中，所述第二預設閾值大于所述第一預設閾值，所述第二設定行數大于所述第一設定行數。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

對所述目標存儲區域的物理層信息進行統計，并上報統計結果。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標值為所述動態隨機存儲器在預設刷新周期內接收到的刷新指令個數。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述動態隨機存儲器為3D封裝的動態隨機存儲器。

7.一種存儲器刷新補償裝置，其特征在于，應用于動態隨機存儲器，所述動態隨機存儲器包括M個存儲區域，M為大于或等于1的整數，且每個所述存儲區域分別對應設置有ECC模塊，所述裝置包括：

統計模塊，用于分別獲取每個存儲區域對應的ECC模塊輸出的報錯信息，并基于所述報錯信息分別對每個所述存儲區域中的數據存儲錯誤進行統計；

補償模塊，用于分別檢測每個所述存儲區域的累計錯誤數量是否達到預設閾值，將累計錯誤數量達到預設閾值的存儲區域確定為目標存儲區域，將所述目標存儲區域的同步刷新行數從默認行數調整為設定行數，啟動對刷新指令的計數，并將所述目標存儲區域對應的當前錯誤統計數量清零，其中，所述設定行數為所述默認行數的2^N倍，N為大于或等于1的整數；

恢復模塊，用于若所述刷新指令的累計數量達到目標值，則將所述目標存儲區域的同步刷新行數恢復到默認行數。