[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110602294.5 | 申請日: | 2021-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN113299723A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 沈麗梅;張振鋮;李靜;尹紅山;李凱;盧麗君;吳繼耀;林冠躍 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 沈逸弢 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括透光顯示區,所述透光顯示區包括多個第一紅色子像素、多個第一綠色子像素、多個第一藍色子像素及第一白色子像素;
其中,所述透光顯示區內設置多個微腔結構;在沿所述顯示面板厚度的方向上,所述微腔結構的投影與所述第一紅色子像素、所述第一綠色子像素及所述第一藍色子像素中的至少一者的投影交疊。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在沿所述顯示面板厚度的方向上,所述第一紅色子像素、所述第一綠色子像素及所述第一藍色子像素的投影均與所述微腔結構的投影交疊。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,與所述第一紅色子像素對應的所述微腔結構沿所述顯示面板厚度方向的腔長為第一長度,與所述第一綠色子像素對應的所述微腔結構沿所述顯示面板厚度方向的腔長為第二長度,與所述第一藍色子像素對應的所述微腔結構沿所述顯示面板厚度方向的腔長為第三長度,所述第一長度、所述第二長度及所述第三長度各不相同。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,微腔結構包括沿所述顯示面板厚度方向相對設置的全反膜和半反半透膜,所述半反半透膜設置在所述全反膜靠近所述顯示面板出光面的一側。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第一基板、第二基板及液晶層;
所述第一基板與所述第二基板相對設置,所述液晶層設置在所述第一基板與所述第二基板之間,所述微腔結構設置在所述第一基板朝向所述液晶層的一側。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括有機發光層,所述微腔結構設置在所述有機發光層朝向所述顯示面板出光面的一側。
7.根據權利要求5或6所述的顯示面板,其特征在于,所述全反膜與所述半反半透膜為有機層結構。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括色阻層及有機保護層;
所述透光顯示區中的多個所述微腔結構的所述全反膜與所述有機保護層同層設置;或者,所述透光顯示區中的多個所述微腔結構的所述半反半透膜與所述有機保護層同層設置。
9.根據權利要求5或6所述的顯示面板,其特征在于,所述全反膜與所述半反半透膜均為透明導電結構。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括公共電極層;
所述透光顯示區中的多個所述微腔結構的所述全反膜與所述公共電極層同層設置;或者,所述透光顯示區中的多個所述微腔結構的所述半反半透膜與所述公共電極層同層設置。
11.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括金屬陽極和透明導電陰極,所述有機發光層設置在所述金屬陽極與所述透明導電陰極之間;
在所述透光顯示區,所述金屬陽極作為所述微腔結構的所述全反膜,所述透明導電陰極作為所述微腔結構的所述半反半透膜;
其中,所述第一紅色子像素、所述第一綠色子像素及所述第一藍色子像素沿所述顯示面板厚度方向的投影均與所述微腔結構沿所述顯示面板厚度方向的投影交疊;所述第一紅色子像素中的有機發光層沿所述顯示面板厚度方向的厚度為第一厚度,所述第一綠色子像素中的有機發光層沿所述顯示面板厚度方向的厚度為第二厚度,所述第一藍色子像素中的有機發光層沿所述顯示面板厚度方向的厚度為第三厚度,所述第一厚度、所述第二厚度及所述第三厚度各不相同。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-10任意一項所述的顯示面板及光學功能元件,所述光學功能元件設置在所述顯示裝置對應所述功能顯示區的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





