[發(fā)明專利]擴散設(shè)備和擴散系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110601929.X
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113373522A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣新和;王國峰;任宏志
• 申請（專利權(quán)）人: 北海惠科半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: C30B31/06
• 分類號: C30B31/06;C30B31/16;C30B29/06;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/223
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種擴散設(shè)備，用于對晶圓進行氧化沉積制程，其特征在于，包括：

爐體，內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)；

進氣口，設(shè)置在所述爐體上，用于進氣；

出氣口，所述進氣口和所述出氣口分別位于所述爐體底部的兩側(cè)；

晶舟，所述晶舟設(shè)置在所述爐體內(nèi)，用于承載所述晶圓；以及

導(dǎo)流管，設(shè)置在所述爐體內(nèi)，所述導(dǎo)流管的一端與所述進氣口連接，另一端延伸至所述爐體的上部，所述導(dǎo)流管設(shè)置有第一開口，所述第一開口設(shè)置在所述導(dǎo)流管上，靠近所述爐體的上部；

其中，所述擴散設(shè)備還設(shè)置有第二開口，對應(yīng)所述晶舟的下部設(shè)置，將反應(yīng)氣體導(dǎo)入到所述晶舟的下部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流管上對應(yīng)所述晶舟的位置還設(shè)置有第三開口，所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口分別依次設(shè)于所述晶舟的頂部、第一三等分部、第二三等分部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流管還設(shè)置有第三開口，所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口分別依次設(shè)于所述爐體的頂部、中部、底部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流管上的開口數(shù)量與所述晶舟的晶圓承載部的數(shù)量相同，所述導(dǎo)流管上的開口的位置與所述晶舟的晶圓承載部的位置一一對應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流管的數(shù)量有兩個，兩個所述導(dǎo)流管間隔預(yù)設(shè)距離設(shè)置，所述擴散設(shè)備還包括進氣管，所述進氣管的一端與所述進氣口連通，所述進氣管的另一端分別與兩個所述導(dǎo)流管的進氣端口連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流管上的開口包括若干通孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的擴散設(shè)備，其特征在于，各所述開口上的所述通孔的數(shù)量和孔徑均相同，同一所述導(dǎo)流管上的所述開口上的所述通孔均勻分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的擴散設(shè)備，其特征在于，

各所述開口上的所述通孔的數(shù)量相同，且各所述開口上的所述通孔的孔徑隨與所述進氣端口的距離的減少而增大；或者，

各所述開口上的所述通孔的孔徑相同，且各所述開口上的所述通孔的數(shù)量隨與所述進氣端口的距離的減少而增加。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的擴散設(shè)備，其特征在于，所述擴散設(shè)備還包括加熱裝置，所述加熱裝置設(shè)于所述爐體外，用于對所述爐體加熱；

所述加熱裝置包括若干加熱部，靠近所述加熱部的所述開口上的通孔的數(shù)量大于遠(yuǎn)離所述加熱部的所述開口上的通孔的數(shù)量。

10.一種擴散系統(tǒng)，包括晶舟以及如權(quán)利要求1-9任一項所述的擴散設(shè)備。