[發(fā)明專利]一種納米硫化鎘制備方法和應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110601704.4 | 申請日: | 2021-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN113428891A | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汝娟堅;張遠;華一新;王丁 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明理工大學 |
| 主分類號: | C01G11/02 | 分類號: | C01G11/02;B01J27/04;C02F1/30;B01J35/10;C02F101/30;C02F101/38 |
| 代理公司: | 重慶西南華渝專利代理有限公司 50270 | 代理人: | 熊禮 |
| 地址: | 650032 云南省昆*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 硫化 制備 方法 應用 | ||
本發(fā)明提供了一種納米硫化鎘制備方法和應用,制備方法包括以下步驟:將酰胺或羧酸或醇類與季銨鹽混合,得到低共熔溶劑;將鎘源和硫源溶于低共熔溶劑中,超聲條件下加熱至323K~423K至反應結(jié)束,清洗后干燥,得到納米硫化鎘粉體。通過本發(fā)明方法制備的硫化鎘相比于傳統(tǒng)方法,其比表面積更大,光催化降解有機染料的性能更好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光催化劑制備領(lǐng)域,更具體地講,涉及一種納米硫化鎘制備方法和應用。
背景技術(shù)
硫化鎘(CdS)是一種重要的II-VI半導體,其禁帶寬度為2.42eV,在光催化降解有機污染物領(lǐng)域具有廣泛應用。
目前,CdS的合成方法較多,包括溶劑熱法,水熱法,固相法,氣相法等,但是這些方法常常需要采用較高的反應溫度,昂貴的儀器設(shè)備,長的反應時間,復雜的操作流程和有毒的反應試劑。并且,現(xiàn)有的制備方法所得到的CdS,在光照射下,CdS光穩(wěn)定性難以達到預期的效果,在實際催化過程中容易發(fā)生光腐蝕,導致其光催化效率降低,降解性能較差。因此,亟需一種新的CdS制備方法以克服上述現(xiàn)有制備方法存在的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明的目的之一在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的一個或多個問題。例如,本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠提升硫化鎘光催化降解有機染料性能的制備方法。
本發(fā)明的一方面提供了一種納米硫化鎘制備方法,可以包括以下步驟:將酰胺或羧酸或醇類與季銨鹽混合,得到低共熔溶劑;將鎘源和硫源溶于低共熔溶劑中,超聲條件下加熱至323K~423K至反應結(jié)束,清洗后干燥,得到納米硫化鎘粉體。
本發(fā)明的另一方面提供了一種納米硫化鎘在光催化降解有機染料中的應用。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果至少包含以下中的至少一項:
(1)通過本發(fā)明方法制備的納米硫化鎘粉體粒徑小、尺寸均勻、純度高,與傳統(tǒng)方法相比對設(shè)備要求低、溫度低、工藝流程短、形貌尺寸可控。
(2)通過本發(fā)明方法制備的硫化鎘相比于傳統(tǒng)方法,其比表面積更大,光催化降解有機染料的性能更好。
(3)本發(fā)明的制備方法所用低共熔溶劑屬于綠色化學溶劑,與咪唑類、吡咯類、吡啶等離子液體相比,合成更為簡單,價格更為低廉,制備過程環(huán)境友好。
附圖說明
通過下面結(jié)合附圖進行的描述,本發(fā)明的上述和其他目的和特點將會變得更加清楚,其中:
圖1為示例1制備得到的納米硫化鎘XRD圖。
圖2為示例1制備得到的納米硫化鎘SEM圖。
圖3為示例1、示例2制備得到的納米硫化鎘與對比例1的市售納米硫化鎘光催化降解羅丹明B的降解性能對比圖。
具體實施方式
在下文中,將結(jié)合附圖和示例性實施例詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的一種納米硫化鎘制備方法和應用。
本發(fā)明的一方面提供了一種納米硫化鎘制備方法。在本發(fā)明的納米硫化鎘制備方法的一個示例性實施例中,可以包括以下步驟:
S01,配制低共熔溶劑。將酰胺或羧酸或醇類與季銨鹽混合,得到低共熔溶劑。
S02,將鎘源和硫源溶于低共熔溶劑中,超聲條件下加熱至323K~423K至反應結(jié)束,清洗后干燥,得到納米硫化鎘粉體。
進一步地,酰胺可以為尿素、甲酰胺、丙烯酰胺、乙酰胺和苯甲酰胺中的一種或幾種組合。羧酸可以為乙酸、乙二酸、丙二酸和草酸中的一種或幾種組合。醇類可以為乙二醇和丙三醇中的一種或兩種組合。季銨鹽可以為氯化膽堿和氯化芐基三乙基銨中的一種或兩種組合。
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