[發明專利]高亮發光二極管芯片及其制造方法

在審

• 申請號: 202110601592.2
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113571618A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 衛婷;尹靈峰;董彬忠;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種高亮發光二極管芯片及其制造方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片的P型電極包括P型焊盤和P型手指，P型手指的一端與P型焊盤連接，P型手指的另一端向遠離P型焊盤的方向延伸，P型手指包括交替連接的多段第一手指和多段第二手指，相鄰兩段第一手指之間通過一段第二手指連接；N型手指和P型手指在襯底上的正投影，位于N型焊盤和P型焊盤在襯底上的正投影之間，且多段第一手指在襯底上的正投影與N型手指在襯底上的正投影平行，從P型焊盤至N型焊盤方向，多段第一手指在襯底上的正投影至N型手指在襯底上的正投影之間的距離逐漸增大。該芯片可以縮短P型手指與芯片邊緣間距，增大芯片邊緣發光效率。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，特別涉及一種高亮發光二極管芯片及其制造方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種能發光的半導體電子元件。芯片是LED的核心組件。

現有的LED芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、P型電極和N型電極，N型半導體層、有源層和P型半導體層依次層疊在襯底上，P型半導體層上設有延伸至N型半導體層的凹槽，N型電極設置在凹槽內的N型半導體層上，P型電極設置在P型半導體層上。

N型電極和P型電極均包括焊盤部分和手指部分。焊盤部分實現電流的注入。手指部分的一端與焊盤部分連接，手指部分的另一端向遠離焊盤部分的方向延伸，以使電流均勻注入N型半導體層或者P型半導體層。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

P型電極的材料會遮擋和吸收有源層發出的光線，而P型電極的手指部分為了實現電流的均勻注入，會分布在整個P型半導體層上，遮擋和吸收的光線較多，對LED芯片的出光影響較大，導致LED芯片的發光亮度降低。

發明內容

本公開實施例提供了一種高亮發光二極管芯片及其制造方法，可以縮短P型手指與芯片邊緣間距，增大芯片邊緣發光效率，改善電流擴散均勻性，提高芯片發光亮度。所述技術方案如下：

一方面，提供了一種高亮發光二極管芯片，所述高亮發光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極和P型電極；所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底的第一表面上；所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的凹槽，所述N型電極設置在凹槽內的所述N型半導體層上，所述P型電極設置在所述P型半導體層上，所述N型電極包括N型焊盤和N型手指，所述N型電極手指呈條狀，所述N型手指的一端與所述N型焊盤連接，所述N型手指的另一端向遠離所述N型焊盤的方向延伸，

所述P型電極包括P型焊盤和P型手指，所述P型手指的一端與所述P型焊盤連接，所述P型手指的另一端向遠離所述P型焊盤的方向延伸，所述P型手指包括交替連接的多段第一手指和多段第二手指，相鄰兩段第一手指之間通過一段所述第二手指連接；

所述N型手指和所述P型手指在所述襯底上的正投影，位于所述N型焊盤和所述P型焊盤在所述襯底上的正投影之間，且所述多段第一手指在所述襯底上的正投影與所述N型手指在所述襯底上的正投影平行，從所述P型焊盤至所述N型焊盤方向，所述多段第一手指在所述襯底上的正投影至所述N型手指在所述襯底上的正投影之間的距離逐漸增大。

可選地，所述P型手指包括交替連接的n段第一手指和n-1段第二手指，3≤n≤20。

可選地，n段所述第一手指的長度之和大于等于n-1段所述第二手指的長度之和。

可選地，從所述P型焊盤至所述N型焊盤方向，每段所述第一手指的長度均為10～300um。

可選地，從所述P型焊盤至所述N型焊盤方向，每段所述第二手指的長度為1～100um。