[發明專利]一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝和MEMS濾波器

有效

• 申請號: 202110600934.9
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113314822B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 周華芳
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01P1/20;B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

1.一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述MEMS濾波器器件的襯底背面依次生長有隔離層、第一DBR介質膜、犧牲層和第二DBR介質膜；

所述制作工藝包括：

在第二DBR介質膜上制作背孔區域的光刻膠層；

第一次干法蝕刻，刻蝕至犧牲層；剩余一些犧牲層，使累計蝕刻的第一尖角被包含于剩余犧牲層的厚度中；

去除剩余犧牲層，形成平坦化平面；

第二次干法蝕刻，刻蝕停留在與隔離層接觸的第一DBR介質膜的接觸層；

蝕刻剩余接觸層；

去掉光刻膠層；

第一次干法蝕刻為快速干法刻蝕，第二次干法蝕刻為慢速干法刻蝕。

2.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述第一DBR介質膜包括交替排列的多晶硅層和氮化硅層，所述接觸層為多晶硅層；所述第二DBR介質膜包括交替排列的多晶硅層和氮化硅層；所述隔離層為二氧化硅層，所述犧牲層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述第一次干法蝕刻，刻蝕至犧牲層，包括：

采用ICP蝕刻機臺對第二DBR介質膜和犧牲層進行干法蝕刻，刻蝕至犧牲層時剩余一些犧牲層，使累計蝕刻的尖角被包含于剩余犧牲層的厚度中。

4.根據權利要求3所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述去除剩余犧牲層，包括：

利用BOE溶液，除去包括尖角的剩余犧牲層，形成平坦化平面。

5.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述第二次干法蝕刻，包括：

采用ICP蝕刻機臺對犧牲層下方的第一DBR介質膜，使蝕刻停留在接觸層。

6.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述快速干法刻蝕和慢速干法刻蝕由蝕刻氣體的流量、上電極RF功率、下電極RF功率和工藝壓強共同決定。

7.根據權利要求1或2所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述蝕刻剩余接觸層包括：

將整個器件放入TMAH溶液中浸泡，去除所述接觸層，留下平滑的隔離層。

8.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝，其特征在于：所述去掉光刻膠層，包括：

采用NMP溶液沖洗工藝進行沖洗；

采用IPA溶液沖洗掉多余NMP溶液；

將器件進行烘干；

利用O₂灰化工藝去除晶圓表面的光刻膠殘渣。

9.一種MEMS濾波器，其特征在于：所述MEMS濾波器的背孔由權利要求1~8中任意一項所述的工藝制作。