[發(fā)明專利]晶圓切割方法及切割設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110600517.4
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113369677B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹蘇庚;王紅;吳迪;張震;彭立和;李志鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67;H01L21/8252;B23K26/02;B23K26/046;B23K26/06;B23K26/38;B23K26/60
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 李健

1.晶圓的切割方法，其特征在于：包括以下步驟：

S10：對所述晶圓進行預處理；

S20：將所述晶圓固定在切割平臺，并對所述晶圓進行定位，以確定所述晶圓的每個切割道的切割道中心；

S30：使得激光裝置位于第一切割道的第一邊緣上；

S40：控制所述激光裝置產(chǎn)生具有能量E₁的第一窄激光束，所述第一窄激光束的中心與切割道中心的距離為D₁，所述第一窄激光束的寬度為d₁,控制所述晶圓相對于所述激光裝置移動，從而使得所述激光裝置沿所述第一切割道的第一邊緣開設(shè)第一開口槽；

S50: 控制所述激光裝置產(chǎn)生具有能量E₂的第二窄激光束，所述第二窄激光束的中心與切割道中心的距離為D₂，所述第二窄激光束的寬度為d₂,其中，D₁D₂，且(d₁+d₂)/2D₁-D₂, E₂ E₁；控制所述晶圓相對于所述激光裝置移動，從而使得所述激光裝置沿所述第一開口槽延伸方向開設(shè)第二開口槽；

S60: 控制所述激光裝置產(chǎn)生具有能量E₃的第三窄激光束，所述第三窄激光束的中心與切割道中心的距離為D₃，所述第三窄激光束的寬度為d₃,其中，D₂D₃，且(d₂+d₃)/2D₂-D₃，E₃E₂；控制所述晶圓相對于所述激光裝置移動，從而使得所述激光裝置沿所述第二開口槽延伸方向開設(shè)第三開口槽；

S70：控制激光裝置位于第一切割道的第二邊緣上；所述第一邊緣與所述第二邊緣分居所述第一切割道的切割道中心兩側(cè)且均與所述切割道中心平行；

重復所述步驟S40至S60,沿所述第二邊緣開設(shè)出第一開口槽、第二開口槽和第三開口槽；

S80：控制所述激光裝置位于第一切割道的切割道中心處，控制所述激光裝置產(chǎn)生具有能量E₄的寬激光束，所述寬激光束的寬度為d₄，滿足2D₃d₄2D₁, E₄ E₃，控制所述晶圓相對于所述激光裝置移動，從而使得所述激光裝置沿所述切割道中心延伸方向形成激光槽；

重復步驟S30至步驟S80，沿每個切割道的切割道中心形成激光槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟S90：依次沿每個激光槽進行切割，將所述晶圓切透，從而將晶圓分成一個個單獨的芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S10，具體包括：

在所述晶圓背面貼上藍膜，并將所述晶圓固定在金屬圈上；

在所述晶圓的正面覆蓋一層保護液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟S90之后還包括步驟S100：對所述晶圓正面覆蓋的保護液、保護液上的殘留物、以及切割后殘留在芯片之間的殘留物進行清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述d₁、d₂、d₃滿足d₁=d₂=d₃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，D₁-D₂=3um；D₂-D₃=2um。