[發明專利]一種鰭式場效應晶體管標準單元結構在審
| 申請號： | 202110600440.0 | 申請日： | 2021-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN113394215A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李勇 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 場效應 晶體管 標準 單元 結構 | ||
1.一種鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，包括：
多個有效鰭區域，每一有效鰭區域包括多條有效鰭，多條有效鰭同方向排列；
至少一個虛擬鰭區域，虛擬鰭區域包括多條虛擬鰭，多條虛擬鰭同方向排列，并虛擬鰭區域將兩相鄰有效鰭區域隔開；
多條多晶硅，多條多晶硅同方向排列，并與有效鰭和虛擬鰭交叉，其中多晶硅與有效鰭的交叉區域形成鰭式場效應晶體管的柵極區域；其中
兩相鄰有效鰭之間的間距為a，兩相鄰虛擬鰭之間的間距為b，并b小于a。
2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，兩相鄰有效鰭之間的間距a為標準鰭間距。
3.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，兩相鄰虛擬鰭之間的間距b為1nm～30nm之間的任一值。
4.根據權利要求3所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，通過設置使用于形成虛擬鰭間間距的心軸的尺寸小于用于形成有效鰭間間距的心軸的尺寸，而使得兩相鄰有效鰭之間的間距a大于兩相鄰虛擬鰭之間的間距b。
5.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，每一虛擬鰭區域包括兩條虛擬鰭。
6.根據權利要求5所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于多條有效鰭平行排列；多條虛擬鰭平行排列；并多條多晶硅平行排列。
7.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，鰭式場效應晶體管標準單元結構還包括：金屬0層，該金屬0層包括M0A，有效鰭區域的有效鰭用M0A連接至一起。
8.根據權利要求7所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，所述M0A通過接觸孔層連接至金屬層。
9.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管標準單元結構，其特征在于，所述的鰭式場效應晶體管標準單元用于形成NORFlash、反相器或NADNFlash。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
