[發明專利]電容器結構以及其制作方法

在審

• 申請號: 202110598854.4
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN115483197A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 葉治東;李光璧;廖文榮
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L49/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容器結構，包括：

絕緣層；以及

電容器單元，設置在該絕緣層上，其中該電容器單元包括：

第一電極；

第二電極，在垂直方向上設置在該第一電極之上；

第一介電層，在該垂直方向上設置在該第一電極與該第二電極之間；以及

圖案化導電層，設置在該第一電極與該第二電極之間，其中該圖案化導電層與該第一電極電連接，且該第一介電層在水平方向上圍繞該圖案化導電層。

2.如權利要求1所述的電容器結構，其中該圖案化導電層的材料組成不同于該第一電極的材料組成與該第二電極的材料組成。

3.如權利要求1所述的電容器結構，其中該圖案化導電層包括鋁。

4.如權利要求1所述的電容器結構，其中該圖案化導電層與該第一電極直接相連，且該圖案化導電層與該第二電極互相分離。

5.如權利要求1所述的電容器結構，還包括：

開口，在該垂直方向上設置在該圖案化導電層之上且貫穿該第二電極。

6.如權利要求5所述的電容器結構，還包括：

接觸結構，部分設置在該開口中，且該接觸結構通過該圖案化導電層與該第一電極電連接。

7.如權利要求1所述的電容器結構，還包括：

第二介電層，設置在該絕緣層上且覆蓋該電容器單元，其中該第二介電層的材料組成與該第一介電層的材料組成相同。

8.如權利要求7所述的電容器結構，其中該第一介電層為介電層材料的第一部分，該第二介電層為該介電材料的第二部分，且該第二部分與該第一部分直接相連。

9.如權利要求1所述的電容器結構，其中該水平方向與該垂直方向正交。

10.如權利要求1所述的電容器結構，還包括：

III-V族化合物層，其中該絕緣層設置在該III-V族化合物層上。

11.一種電容器結構的制作方法，包括：

在絕緣層上形成電容器單元，其中該電容器單元包括：

第一電極；

第二電極，在垂直方向上設置在該第一電極之上；

介電層，在該垂直方向上設置在該第一電極與該第二電極之間；以及

圖案化導電層，設置在該第一電極與該第二電極之間，其中該圖案化導電層與該第一電極電連接，且該介電層在水平方向上圍繞該圖案化導電層。

12.如權利要求11所述的電容器結構的制作方法，其中形成該電容器單元的方法包括：

在該絕緣層上形成堆疊結構，其中該堆疊結構包括該第一電極、該圖案化導電層以及該第二電極；

以蝕刻制作工藝移除該圖案化導電層的一部分，用以于該第一電極與該第二電極之間形成空隙；以及

在該空隙中形成該介電層。

13.如權利要求12所述的電容器結構的制作方法，其中形成該堆疊結構的方法包括：

在該絕緣層上形成第一導電層；

在該第一導電層上形成第二導電層；

在該第二導電層上形成第三導電層；以及

對該第三導電層、該第二導電層以及該第一導電層進行圖案化制作工藝，其中該第三導電層被該圖案化制作工藝圖案化而成為該第二電極，該第二導電層被該圖案化制作工藝圖案化而成為該圖案化導電層，且該第一導電層被該圖案化制作工藝圖案化而成為該第一電極。

14.如權利要求13所述的電容器結構的制作方法，其中該蝕刻制作工藝包括以水跟該堆疊結構上的氯化物殘留物反應以移除該圖案化導電層的該部分。