[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110598426.1
• 申請日: 2016-05-10
• 公開（公告）號: CN113436969A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 山口一哉
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/45
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周爽;金玉蘭

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，在半導體基板的表面形成絕緣膜；

第二工序，形成沿深度方向貫通所述絕緣膜而到達所述半導體基板的接觸孔；

第三工序，遍及所述絕緣膜的表面和所述半導體基板的露在所述接觸孔的半導體部的表面，形成由鈦構成的第一金屬膜；

第四工序，在所述第一金屬膜的表面形成由氮化鈦構成的第二金屬膜；

第五工序，在形成所述第二金屬膜后，在氮氣氛中通過熱處理使所述第一金屬膜硅化；

第六工序，通過等離子體氮化處理使所述第一金屬膜和所述第二金屬膜內未反應而殘留的鈦原子氮化；

第七工序，在所述第五工序和所述第六工序之后，在所述接觸孔的內部的所述第二金屬膜的內側埋設由鎢構成的插塞；以及

第八工序，遍及所述絕緣膜上的所述第二金屬膜的表面和所述插塞的表面，形成以鋁為主要成分的表面電極，

在所述第五工序中，在超過600℃且650℃以下的溫度下，以使所述第一金屬膜和所述第二金屬膜內的鈦原子與所述絕緣膜內的氧原子不發生反應的方式進行所述熱處理。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第六工序中，以比所述熱處理的溫度低的溫度進行所述等離子體氮化處理。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第五工序中，作為所述熱處理進行高速熱處理。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，連續地進行所述第三工序和所述第四工序。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，通過濺射形成所述第一金屬膜。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，通過濺射形成所述第二金屬膜。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序之后且所述第三工序之前，還包括在所述半導體部形成溝槽的工序，

在所述第三工序中，遍及所述絕緣膜的表面和所述溝槽的內壁，形成所述第一金屬膜，

在所述第七工序中，在所述接觸孔和所述溝槽的內部的所述第二金屬膜的內側埋設所述插塞。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導體基板為硅基板。