[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110598077.3
• 申請(qǐng)日: 2021-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113345968B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅成志
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板，該薄膜晶體管包括：基板；催化部，所述催化部設(shè)置在所述基板上；有源層，所述有源層設(shè)置在所述基板上并與所述催化部接觸，所述有源層的組成材料包括單晶硅和/或多晶硅。該方案在采用非晶硅制備有源層的過(guò)程中，無(wú)需采用準(zhǔn)分子激光退火，可以經(jīng)催化部的催化得到單晶硅和/或多晶硅，從而制備的薄膜晶體管可以應(yīng)用于大尺寸顯示面板，提高了薄膜晶體管的利用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有高畫(huà)質(zhì)、省電以及機(jī)身薄等優(yōu)點(diǎn)，成為顯示面板中的主流。

薄膜晶體管(Thin-film Transistor，TFT)是LCD中的主要驅(qū)動(dòng)元件，其依據(jù)有源層材料的不同，可以劃分為非晶硅(a-Si，amorphous silicon)TFT、低溫多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)TFT及單晶硅TFT。

現(xiàn)有技術(shù)中，大尺寸顯示面板中的TFT制備工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，大尺寸顯示面板的TFT制備工藝復(fù)雜的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，其包括：

基板；

催化部，所述催化部設(shè)置在所述基板上；

有源層，所述有源層設(shè)置在所述基板上并與所述催化部接觸，所述有源層的組成材料包括單晶硅和/或多晶硅。

在一實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括位于所述基板上的緩沖層，所述緩沖層具有凹槽，所述催化部和所述有源層設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，所述催化部和所述有源層同層設(shè)置，所述有源層設(shè)置在所述催化部的一側(cè)。

在一實(shí)施例中，所述凹槽的寬度范圍為1微米至10微米。

在一實(shí)施例中，當(dāng)所述凹槽的寬度范圍為1微米至2微米時(shí)，所述有源層的組成材料為所述單晶硅，當(dāng)所述凹槽的寬度范圍為2微米至10微米時(shí)，所述有源層的組成材料為所述多晶硅。

在一實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括位于所述基板上的緩沖層；

所述催化部設(shè)置在所述緩沖層上，所述有源層設(shè)置在所述催化部上；或

所述有源層設(shè)置在所述緩沖層上，所述催化部設(shè)置在所述有源層上。

在一實(shí)施例中，當(dāng)所述有源層設(shè)置在所述催化部上時(shí)，所述催化部與所述有源層接觸的表面為非平面；

當(dāng)所述催化部設(shè)置在所述有源層上時(shí)，所述有源層與所述催化部接觸的表面為平面。

在一實(shí)施例中，所述催化部的組成材料為金屬催化劑。

在一實(shí)施例中，所述金屬催化劑包括銦、鎵以及錫中的一種或者其組合。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，其包括：

提供基板；

在所述基板上形成緩沖層，所述緩沖層具有凹槽；

在所述凹槽內(nèi)一側(cè)形成催化部；

在所述緩沖層和所述催化部上形成非晶硅薄膜層，得到目標(biāo)基板，其中，所述非晶硅薄膜層包括目標(biāo)非晶硅薄膜層，所述目標(biāo)非晶硅薄膜層位于所述凹槽內(nèi)并與所述催化部的側(cè)部接觸；

對(duì)所述目標(biāo)基板進(jìn)行退火處理，使所述目標(biāo)非晶硅薄膜層在所述催化部的催化下轉(zhuǎn)化成單晶硅層和/或多晶硅層，以得到有源層。