[發(fā)明專利]磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110597072.9
• 申請(qǐng)日: 2021-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115411062A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢(qián)沐琦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江馳拓科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/22
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 孫峰芳

1.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括存儲(chǔ)陣列區(qū)、外圍電路區(qū)和邏輯區(qū)，各區(qū)分別形成有底層金屬線，所述外圍電路區(qū)介于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)與所述邏輯區(qū)之間；

第一介質(zhì)層，位于所述基底上表面；

底電極通孔陣列，位于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的第一介質(zhì)層中并與所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)，所述底電極通孔陣列內(nèi)填充有導(dǎo)電金屬；

第一底電極陣列，位于所述底電極通孔陣列上；

第二底電極陣列，位于所述外圍電路區(qū)的第一介質(zhì)層上；

第二介質(zhì)層，其圍繞所述第一底電極陣列和所述第二底電極陣列；

磁性隧道結(jié)單元陣列，位于所述第一底電極陣列上；以及，

偽磁性隧道結(jié)單元陣列，位于所述第二底電極陣列上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，所述外圍電路區(qū)的寬度大于設(shè)定閾值，所述設(shè)定閾值為保證存儲(chǔ)陣列區(qū)的底電極通孔不會(huì)被化學(xué)機(jī)械拋光不均勻影響造成金屬析出而需要增加的最小底電極排數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，所述第一底電極陣列與所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)，所述第二底電極陣列與所述外圍電路區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)。

4.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括存儲(chǔ)陣列區(qū)、外圍電路區(qū)和邏輯區(qū)，各區(qū)分別形成有底層金屬線，所述外圍電路區(qū)介于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)與所述邏輯區(qū)之間；

第一介質(zhì)層，位于所述基底上表面；

底電極通孔陣列，位于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的第一介質(zhì)層中并與所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)，所述底電極通孔陣列內(nèi)填充有導(dǎo)電金屬；

第一底電極陣列，位于所述底電極通孔陣列上；

第二底電極陣列，位于所述外圍電路區(qū)的第一介質(zhì)層上；

第三底電極陣列，位于擴(kuò)展區(qū)的第一介質(zhì)層上，所述擴(kuò)展區(qū)為所述邏輯區(qū)上與所述外圍電路區(qū)相鄰的部分區(qū)域；

第二介質(zhì)層，其圍繞所述第一底電極陣列、第二底電極陣列和第三底電極陣列；

磁性隧道結(jié)單元陣列，位于所述第一底電極陣列上；以及，

偽磁性隧道結(jié)單元陣列，位于所述第二底電極陣列和第三底電極陣列上，或者，只位于所述第二底電極陣列上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，所述外圍電路區(qū)的寬度小于設(shè)定閾值，所述外圍電路區(qū)和所述擴(kuò)展區(qū)的寬度之和大于所述設(shè)定閾值，所述設(shè)定閾值為保證存儲(chǔ)陣列區(qū)的底電極通孔不會(huì)被化學(xué)機(jī)械拋光不均勻影響造成金屬析出而需要增加的最小底電極排數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列，其特征在于，所述第一底電極陣列與所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)，所述第二底電極陣列與所述外圍電路區(qū)的底層金屬線對(duì)準(zhǔn)。

7.一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器單元陣列的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括存儲(chǔ)陣列區(qū)、外圍電路區(qū)和邏輯區(qū)，各區(qū)分別形成有底層金屬線，所述外圍電路區(qū)介于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)與所述邏輯區(qū)之間，且所述外圍電路區(qū)的寬度大于設(shè)定閾值，所述設(shè)定閾值為保證存儲(chǔ)陣列區(qū)的底電極通孔不會(huì)被化學(xué)機(jī)械拋光不均勻影響造成金屬析出而需要增加的最小底電極排數(shù)；

在所述基底上表面沉積第一介質(zhì)層；

在所述存儲(chǔ)陣列區(qū)的第一介質(zhì)層中形成與所述存儲(chǔ)陣列區(qū)底層金屬線對(duì)準(zhǔn)的底電極通孔陣列，并在所述底電極通孔陣列內(nèi)填充導(dǎo)電金屬；

在所述存儲(chǔ)陣列區(qū)和所述外圍電路區(qū)沉積底電極層，所述底電極層與所述底電極通孔陣列及所述外圍電路區(qū)的第一介質(zhì)層接觸；

圖案化所述底電極層，以在所述底電極通孔陣列上形成第一底電極陣列以及在所述外圍電路區(qū)的第一介質(zhì)層上形成第二底電極陣列；

沉積第二介質(zhì)層；

平坦化處理，以使所述第一底電極陣列和所述第二底電極陣列表面完全暴露且表面平整；

在所述第一底電極陣列上形成磁性隧道結(jié)單元陣列以及在所述第二底電極陣列上形成偽磁性隧道結(jié)單元陣列。