[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110595331.4 | 申請日: | 2021-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN113327940A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 吳欣慰;張偉;郭鐘旭;史大為;徐燕燕;李存智 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,可以改善顯示面板顯示畫面不均勻的問題。顯示面板包括襯底、絕緣層、第一透明導電線和第二透明導電線。絕緣層包括位于功能器件設置區,且交替間隔設置的至少一個凸條和多個溝槽,凸條和溝槽沿第一方向延伸。相鄰的凸條和溝槽中,凸條遠離襯底的一面中,沿第一方向且靠近溝槽的邊界在襯底上的正投影,位于溝槽在襯底上的最大正投影范圍內。每條第一透明導電線位于一個凸條遠離襯底一面上,且沿第一方向延伸。每條第二透明導電線位于一個溝槽內,且沿第一方向延伸。本公開所提供的顯示面板中,功能器件設置區與主顯示區的像素密度差異較小,顯示面板顯示畫面均勻性較佳。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
有機電致發光(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)顯示面板憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實現柔性化等優異性能,逐漸成為顯示領域的主流之一。
為了提高顯示裝置的屏占比,相關技術中將攝像頭以及一些感應器放置于顯示屏內。然而,顯示面板中正對攝像頭或感應器的區域的像素密度與顯示面板中未對應攝像頭或感應器的區域的像素密度之間相差較大,使得顯示面板不同區域分辨率不同,畫面顯示效果不均勻。
發明內容
本公開一些實施例的目的在于提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,可以改善顯示面板不同區域像素密度不同,導致畫面顯示效果不均勻的問題。
為達到上述目的,本公開一些實施例提供了如下技術方案:
第一方面,提供了一種顯示面板,包括功能器件設置區,和圍繞所述功能器件設置區的至少部分邊界的主顯示區;所述顯示面板包括襯底、絕緣層、至少一條第一透明導電線和至少一條第二透明導電線。絕緣層,設置于所述襯底上;所述絕緣層包括位于功能器件設置區,且交替間隔設置的至少一個凸條和多個溝槽,凸條和溝槽沿第一方向延伸;相鄰的凸條和溝槽中,所述凸條遠離所述襯底的一面中,沿第一方向且靠近所述溝槽的邊界在所述襯底上的正投影,位于所述溝槽在所述襯底上的最大正投影范圍內;每條第一透明導電線位于一個凸條遠離所述襯底一面上,且沿第一方向延伸;每條第二透明導電線位于一個溝槽內,且沿第一方向延伸;其中,所述第一透明導電線的寬度與所述凸條遠離所述襯底的一面的寬度近似相等,所述第二透明導電線的寬度與所述溝槽遠離所述襯底的一側開口的寬度近似相等。
在一些實施例中,所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層。第二絕緣層,位于所述第一絕緣層遠離所述襯底的一側;所述第二絕緣層的材料與所述第一絕緣層的材料不同;所述凸條包括位于所述第一絕緣層的第一子凸條,和位于所述第二絕緣層的第二子凸條;沿垂直于所述襯底且遠離所述襯底的方向,所述第一子凸條沿平行于所述襯底方向的尺寸的最小值小于所述第二子凸條沿平行于所述襯底方向的尺寸的最大值;所述第一子凸條沿平行于所述襯底方向的尺寸的最大值小于或等于所述第二子凸條沿平行于所述襯底方向的尺寸的最大值。
在一些實施例中,所述第一絕緣層的材料為氧化硅,所述第二絕緣層的材料為氮化硅。
在一些實施例中,顯示面板還包括多條轉接線、多個第一像素電路和多個第一電極。每條轉接線包括位于功能器件設置區的第一部分和位于主顯示區的第二部分;每條所述第一透明導電線與一條轉接線的第一部分電連接,且每條所述第二透明導電線與一條轉接線的第一部分電連接;多個第一像素電路,設置于所述主顯示區;每條轉接線的第二部分與一個第一像素電路電連接;多個第一電極,設置于所述功能器件設置區;每條第一透明導電線與一個第一電極電連接,且每條第二透明導電線與一個第一電極電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





