[發(fā)明專(zhuān)利]一種多層導(dǎo)電納米涂層及其生產(chǎn)工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110593802.8
• 申請(qǐng)日: 2021-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113278929A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏正衛(wèi);張心鳳;范宏躍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽純?cè)村兡た萍加邢薰?/a>
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/32
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/32;C23C14/35;C23C14/16;B82Y40/00
• 代理公司: 合肥九道和專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 34154
• 代理人: 胡發(fā)丁

1.一種多層導(dǎo)電納米涂層，其特征在于：包括由內(nèi)至外依次布置的A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7膜層，其中A1膜層和A4膜層的元素組成包括Cr，A2膜層和A5膜層的元素組成包括Cr和Ni，A3膜層和A6膜層的元素組成包括Cu，A7膜層的元素組成包括Ag，A1膜層和A4膜層采用純離子鍍膜法制備得到，A2膜層、A3膜層、A5膜層、A6膜層和A7膜層采用磁控濺射法制備得到。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)電納米涂層，其特征在于：A1膜層的厚度為0.05-0.4μm，A2膜層和A5膜層的厚度為0.1-0.5μm，A3膜層和A6膜層的厚度為0.2-0.8μm，A7膜層的厚度為0.5-2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層導(dǎo)電納米涂層，其特征在于：

A1膜層中元素組成和原子占比為：Cr:95%-99%、N:0.5%-3%、O:0.5%-2%；

A2膜層中元素組成和原子占比為：Ni:74%-84%、Cr:14%-24%、N:0%-1%、O:0%-1%；

A3膜層中元素組成和原子占比為：Cu:98%-99%、N:0.5%-1%、O: 0.5%-1%；

A4膜層中元素組成和原子占比為：Cr:98%-99.5%、N:0.25%-1%、O: 0.25%-1%；

A5膜層中元素組成和原子占比為：Ni:74.5%-84.5%、Cr:14.5%-24.5%、N:0%-0.5%、O:0%-0.5%；

A6膜層中元素組成和原子占比為：Cu:98%-99%、N:0.5%-1%、O: 0.5%-1%；

A7膜層中元素組成和原子占比為：Ag:99%-99.5%、N:0.25%-0.5%、O: 0.25%-0.5%。

4.一種權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的多層導(dǎo)電納米涂層的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括如下操作：

將清潔后的基體裝配在真空腔室內(nèi)的夾具上，對(duì)真空腔室進(jìn)行抽真空并對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行除雜處理，打開(kāi)磁過(guò)濾彎管上PIC過(guò)濾擋板，開(kāi)啟PIC弧電源，采用PIC-Cr靶在基體上制備A1膜層，A1膜層制備好后，關(guān)閉PIC過(guò)濾擋板，從NiCr濺射靶進(jìn)氣口充入Ar，開(kāi)啟NiCr靶濺射電源和偏壓電源，磁控濺射制備A2膜層，A2膜層制備好后，關(guān)閉磁控濺射N(xiāo)iCr靶，從Cu濺射靶進(jìn)氣口充入Ar，開(kāi)啟Cu靶濺射電源和偏壓電源，磁控濺射制備A3膜層，A3膜層制備好后，關(guān)閉磁控濺射Cu靶，打開(kāi)PIC過(guò)濾擋板，開(kāi)啟PIC弧電源，采用PIC-Cr靶在基體上制備A4膜層，A4膜層制備好后，關(guān)閉PIC過(guò)濾擋板，從NiCr濺射靶進(jìn)氣口充入Ar，開(kāi)啟NiCr靶濺射電源和偏壓電源，磁控濺射制備A5膜層，A5膜層制備好后，關(guān)閉磁控濺射N(xiāo)iCr靶，從Cu濺射靶進(jìn)氣口充入Ar，開(kāi)啟Cu靶濺射電源和偏壓電源，磁控濺射制備A6膜層，A6膜層制備好后，關(guān)閉磁控濺射Cu靶，開(kāi)啟Ag靶濺射電源和偏壓電源，磁控濺射制備A7膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層導(dǎo)電納米涂層的生產(chǎn)工藝，其特征在于，制備A1膜層時(shí)，真空腔室內(nèi)的氣壓低于3×10^-3 Pa，溫度為100-150℃，設(shè)置弧電流50-130A，過(guò)濾器電流5-20A，陽(yáng)極電流5-20A，時(shí)間400-3200s；

制備A4膜層時(shí)，真空腔室內(nèi)的氣壓低于1.5×10^-3 Pa，溫度為100-150℃，設(shè)置弧電流90-120A，過(guò)濾器電流5-20A，陽(yáng)極電流5-20A，時(shí)間400-3200s。