[發明專利]一種焦平面探測器及其銦球陣列制備方法

有效

• 申請號: 202110593418.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113314556B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王曉坤

1.一種焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，包括：

獲得上表面分布有光刻膠和第一金屬層的預處理讀出電路芯片；其中，所述光刻膠對應輸入級像元以外的區域，所述第一金屬層覆蓋所述光刻膠和所述輸入級像元；

在所述第一金屬層對應所述輸入級像元的區域形成臺狀體介質膜層，得到處理后讀出電路芯片；其中，所述臺狀體介質膜層的頂部呈平面狀、側面呈傾斜表面且底部尺寸小于所述輸入級像元尺寸；

在所述處理后讀出電路芯片的上表面制備第二金屬層；所述第二金屬層與所述第一金屬層相連；

在所述第二金屬層的表面制備銦膜層，并去除光刻膠以及與光刻膠對應的所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述銦膜層；

將所述臺狀體介質膜層倒置于起球液中使所述銦膜層在所述臺狀體介質膜層的頂部形成銦球，以得到銦球陣列；

所述在所述第二金屬層的表面制備銦膜層之前，還包括：

在所述第二金屬層的表面制備金膜層；

相應的，在所述第二金屬層的表面制備銦膜層，并去除光刻膠以及與所述光刻膠對應的所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述銦膜層包括：

在所述金膜層的表面制備銦膜層，并去除光刻膠以及與所述光刻膠對應的所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述金膜層、所述銦膜層。

2.如權利要求1所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層對應所述輸入級像元的區域形成臺狀體介質膜層包括：

在所述第一金屬層的上表面制備介質膜層；

在所述介質膜層的上表面對應所述輸入級像元的區域制備阻擋層；其中，所述阻擋層的面積小于所述輸入級像元面積；

在所述阻擋層的遮擋下刻蝕所述介質膜層，并去除所述阻擋層，得到臺狀體介質膜層。

3.如權利要求2所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，在所述介質膜層的上表面對應所述輸入級像元的區域制備阻擋層包括：

在所述介質膜層的上表面涂覆光刻膠，并對位于所述介質膜層上表面的光刻膠進行曝光和顯影，得到光刻膠阻擋層。

4.如權利要求1所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述臺狀體介質膜層為圓臺狀介質膜層。

5.如權利要求1所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述獲得上表面分布有光刻膠和第一金屬層的預處理讀出電路芯片之前，還包括：

在讀出電路芯片上表面涂覆光刻膠，并對位于所述讀出電路芯片上表面的、與所述輸入級像元對應的光刻膠進行曝光和顯影；

在形成有光刻膠的所述讀出電路芯片的上表面制備第一金屬層，得到所述預處理讀出電路芯片。

6.如權利要求5所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述在形成有光刻膠的所述讀出電路芯片的上表面制備第一金屬層包括：

采用離子束沉積方式，在形成有光刻膠的所述讀出電路芯片的上表面制備所述第一金屬層。

7.如權利要求2所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層的上表面制備介質膜層包括：

采用化學氣相沉積方式，在所述第一金屬層的上表面制備所述介質膜層。

8.如權利要求1所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料為鉻。

9.一種焦平面探測器，其特征在于，所述焦平面探測器中的銦球陣列采用如權利要求1至8任一項所述的焦平面探測器的銦球陣列制備方法制得。