[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110592345.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-05-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113764508A | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中村浩之;高野和豊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其具有設(shè)置有半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域；
第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散層，其在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層；
第1導(dǎo)電型的第1耗盡化抑制區(qū)域，其在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層，在與所述擴(kuò)散層相比更靠所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)側(cè)處遠(yuǎn)離所述擴(kuò)散層而配置；
溝道截?cái)嚯姌O，其與所述第1耗盡化抑制區(qū)域電連接；
監(jiān)視電極，其與所述擴(kuò)散層電連接，遠(yuǎn)離所述溝道截?cái)嚯姌O；以及
絕緣膜，其將所述溝道截?cái)嚯姌O的外端部和所述監(jiān)視電極的內(nèi)端部覆蓋，
所述監(jiān)視電極的所述內(nèi)端部位于所述擴(kuò)散層與所述第1耗盡化抑制區(qū)域之間，
所述溝道截?cái)嚯姌O的所述外端部與所述監(jiān)視電極的所述內(nèi)端部的間隔為第1距離，
所述擴(kuò)散層與所述第1耗盡化抑制區(qū)域的間隔為第2距離，
以所述溝道截?cái)嚯姌O與所述監(jiān)視電極之間的放電電壓比所述擴(kuò)散層與所述半導(dǎo)體基板的PN結(jié)部的雪崩擊穿電壓大的方式，設(shè)定所述第1距離以及所述第2距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體裝置還具有第1導(dǎo)電型的第2耗盡化抑制區(qū)域，該第1導(dǎo)電型的第2耗盡化抑制區(qū)域在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層，在與所述擴(kuò)散層相比更靠所述半導(dǎo)體基板的外側(cè)處遠(yuǎn)離所述擴(kuò)散層而配置，
所述監(jiān)視電極的外端部位于所述擴(kuò)散層與所述第2耗盡化抑制區(qū)域之間，
所述擴(kuò)散層與所述第2耗盡化抑制區(qū)域的間隔為第3距離，
以所述放電電壓比所述雪崩擊穿電壓大的方式，設(shè)定所述第3距離。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其具有設(shè)置有半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域；
第2導(dǎo)電型的擴(kuò)散層，其在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層；
第1溝槽，其在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層，在與所述擴(kuò)散層相比更靠所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)側(cè)處遠(yuǎn)離所述擴(kuò)散層而配置；
溝道截?cái)嚯姌O，其與所述第1溝槽電連接；
監(jiān)視電極，其與所述擴(kuò)散層電連接，遠(yuǎn)離所述溝道截?cái)嚯姌O；以及
絕緣膜，其將所述溝道截?cái)嚯姌O的外端部和所述監(jiān)視電極的內(nèi)端部覆蓋，
所述監(jiān)視電極的所述內(nèi)端部位于所述擴(kuò)散層與所述第1溝槽之間，
所述溝道截?cái)嚯姌O的所述外端部與所述監(jiān)視電極的所述內(nèi)端部的間隔為第1距離，
所述擴(kuò)散層與所述第1溝槽的間隔為第2距離，
以所述溝道截?cái)嚯姌O與所述監(jiān)視電極之間的放電電壓比所述擴(kuò)散層與所述半導(dǎo)體基板的PN結(jié)部的雪崩擊穿電壓大的方式，設(shè)定所述第1距離以及所述第2距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體裝置還具有第2溝槽，該第2溝槽在所述元件區(qū)域的外周處設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的表層，在與所述擴(kuò)散層相比更靠所述半導(dǎo)體基板的外側(cè)處遠(yuǎn)離所述擴(kuò)散層而配置，
所述監(jiān)視電極的外端部位于所述擴(kuò)散層與所述第2溝槽之間，
所述擴(kuò)散層與所述第2溝槽的間隔為第3距離，
以所述放電電壓比所述雪崩擊穿電壓大的方式，設(shè)定所述第3距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
將所述第1距離設(shè)為D1，將所述第2距離設(shè)為D2，將所述絕緣膜的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)為ECIns，將所述半導(dǎo)體基板的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)為ECSub，將所述絕緣膜的厚度設(shè)為t，將在所述溝道截?cái)嚯姌O的所述外端部與所述監(jiān)視電極的所述內(nèi)端部之間存在的所述絕緣膜以外的物質(zhì)的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)為ECbet，滿足：
D2＜(ECIns/ECSub)×2t+(ECbet/ECSub)×(D1-2t)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三菱電機(jī)株式會(huì)社，未經(jīng)三菱電機(jī)株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110592345.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
