[發明專利]半導體存儲器裝置及半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110591933.2
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN114373768A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

溝道結構，所述溝道結構包括第一柱部和從所述第一柱部延伸的第二柱部；

阻擋絕緣層，所述阻擋絕緣層圍繞所述溝道結構的所述第一柱部的側壁；

數據儲存層，所述數據儲存層設置在所述溝道結構的所述第一柱部和所述阻擋絕緣層之間；

上選擇線，所述上選擇線與所述阻擋絕緣層的端部和所述數據儲存層的端部交疊，所述阻擋絕緣層的所述端部和所述數據儲存層的所述端部面向所述第二柱部的延伸方向，所述上選擇線圍繞所述溝道結構的所述第二柱部的側壁；以及

隧道絕緣層，所述隧道絕緣層設置在所述溝道結構的所述第一柱部和所述數據儲存層之間，所述隧道絕緣層在所述溝道結構的所述第二柱部和所述上選擇線之間延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述上選擇線包括：

第一導電圖案，所述第一導電圖案與所述溝道結構的所述第二柱部交叉；以及

第二導電圖案，所述第二導電圖案設置在所述第一導電圖案和所述隧道絕緣層之間，所述第二導電圖案圍繞所述隧道絕緣層的側壁。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一導電圖案包括硅。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第二導電圖案包括硅、金屬硅化物和導電金屬屏障物中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述溝道結構的所述第二柱部包括：

第一部分，所述第一部分被所述上選擇線圍繞；

第二部分，所述第二部分從所述第一部分在所述第二柱部的所述延伸方向上延伸，以在所述第二柱部的所述延伸方向上比所述上選擇線進一步突出；以及

第三部分，所述第三部分從所述第二部分在所述第二柱部的所述延伸方向上延伸。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

上絕緣層，所述上絕緣層設置在所述上選擇線上，所述上絕緣層圍繞所述第二柱部的所述第二部分的側壁；以及

公共源極層，所述公共源極層設置在所述上絕緣層上，所述公共源極層與所述第二柱部的所述第三部分接觸。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

上絕緣層，所述上絕緣層設置在所述上選擇線上，所述上絕緣層覆蓋所述第二柱部的所述第二部分和所述第三部分；

位線接觸結構，所述位線接觸結構貫穿所述上絕緣層，所述位線接觸結構與所述第二柱部的所述第三部分接觸；以及

位線，所述位線設置在所述上絕緣層上，所述位線與所述位線接觸結構接觸。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

至少一條下選擇線，所述至少一條下選擇線圍繞所述溝道結構的所述第一柱部；以及

層間絕緣層和字線，所述層間絕緣層和所述字線在所述上選擇線和所述至少一條下選擇線之間圍繞所述溝道結構的所述第一柱部，其中，所述層間絕緣層和所述字線在所述第二柱部的所述延伸方向上交替層疊，

其中，所述阻擋絕緣層、所述數據儲存層和所述隧道絕緣層在所述第一柱部與所述層間絕緣層、所述字線和所述至少一條下選擇線中的每一個之間延伸。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：外圍電路結構，所述外圍電路結構與所述上選擇線交疊，并且所述至少一條下選擇線插置于所述外圍電路結構和所述上選擇線之間。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，所述溝道結構具有隨著所述溝道結構越靠近所述外圍電路結構而變得越寬的寬度。