[發明專利]磁性斯格明子的寫入方法、信息存儲器件及讀取系統

在審

• 申請號: 202110591843.3
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113393875A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 侯志鵬;衛智健;王亞棟
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C11/22;H01L43/08
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 紀婷婧

1.一種磁性斯格明子的寫入方法，其特征在于，包括：

根據待存儲數據確定待寫入的磁性斯格明子的目標數量，所述目標數量與待存儲數據相對應；

對拓撲磁結構施加目標電壓以使所述拓撲磁結構產生目標數量的所述磁性斯格明子，所述目標電壓與所述目標數量相對應；

其中，所述拓撲磁結構包括：

鐵電襯底層；

電壓驅動單元，與所述鐵電襯底層連接，用于對所述鐵電襯底層施加電壓；

磁性層，設置于所述鐵電襯底層上，用于響應于所述目標電壓調控產生目標數量的所述磁性斯格明子。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標電壓在-200V～+200V范圍內。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在施加的所述目標電壓范圍內，所述磁性層上的拓撲態由單疇態轉變為磁性斯格明子態。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述目標數量為1至11個中的任一整數。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鐵電襯底層用于響應于所述目標電壓正值沿各向異性方向延展。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鐵電襯底層用于響應于所述目標電壓負值沿各向異性方向收縮。

7.根據權利要求5或6任一項所述的方法，其特征在于，所述鐵電襯底層的材料為鈮鎂鈦酸鉛。

8.一種基于磁性斯格明子的信息存儲器件，其特征在于，包括多個拓撲磁結構，所述拓撲磁結構用于通過如權利要求1至7任一項所述的磁性斯格明子的寫入方法產生磁性斯格明子以存儲信息，多個所述拓撲磁結構呈陣列排布，相鄰的所述拓撲磁結構的所述電壓驅動單元相連接。

9.根據權利要求8所述的信息存儲器件，其特征在于，相鄰的所述拓撲磁結構之間的距離大于200nm。

10.一種讀取系統，其特征在于，包括：

如權利要求8-9任一項所述的信息存儲器件；

讀取器，用于讀取如所述權利要求8-9任一項所述的信息存儲器件上存儲的信息。