[發明專利]一種微流控芯片及制備方法與應用在審
| 申請號： | 202110591744.5 | 申請日： | 2021-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN113275051A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發明（設計）人： | 宗小林 | 申請（專利權）人： | 嘉善君圓新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 陳銳 |
| 地址： | 314100 浙江省嘉興市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微流控 芯片 制備 方法 應用 | ||
1.一種微流控芯片，其特征在于，其包括疊加設置的基片和具有光伏響應特性的一維納米材料陣列層；所述一維納米材料陣列層的表面包被有薄膜，所述薄膜為碳類型薄膜或貴金屬薄膜。
2.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述一維納米材料陣列層的材料材質為ZnO、TiO2、CuO、Cu2O、SnO2、CeO、Bi2S3、InP和V2O5中的一種或兩種以上的組合；
和/或，所述一維納米材料陣列層的材料形態為納米棒、納米線和納米片中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述一維納米材料陣列層的材料為ZnO納米棒。
4.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述貴金屬薄膜的材質為金、鈀或鉑。
5.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述碳類型薄膜為碳薄膜、碳化硅或氮化碳。
6.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述一維納米材料陣列層的厚度為200nm-5000nm；
和/或，所述薄膜的單層厚度為10nm-100nm。
7.根據權利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述基片的材質為單晶硅片、石英、玻璃或有機聚合物；和/或，所述基片的厚度為0.1mm-5mm。
8.一種如權利要求1至7中任一項所述的微流控芯片的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：
在所述基片的表面生成所述一維納米材料陣列層；
采用物理沉積方式或化學沉積方式在所述一維納米材料陣列層的表面沉積形成所述薄膜。
9.一種如權利要求1至7中任一項所述的微流控芯片的應用，其特征在于，采用光源對所述微流控芯片進行精確照射，用于控制所述微流控芯片表面的流體流動，所述光源的光照波長為360-500nm，功率為100-5000mW。
10.根據權利要求9所述的微流控芯片的應用，其特征在于，所述光源對所述微流控芯片的照射區域對應所述流體的流動路徑。
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