[發明專利]一種日盲紫外光敏晶體管的制備方法

在審

• 申請號: 202110590638.5
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113314641A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 高曉紅;孫玉軒;付鈺;郭亮;陳偉利;楊佳;趙陽;楊帆;遲耀丹;楊小天
• 申請（專利權）人: 吉林建筑大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/0224
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 11369
• 代理人: 劉小嬌

1.一種日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

步驟一、對襯底進行預處理，通過光刻剝離技術曝光顯影出柵極區域，在柵極區域蒸鍍導電膜；

步驟二、通過光刻剝離技術曝光顯影出第一堆疊區域，并在所述第一堆疊區域通過原子層沉積得到絕緣層；

步驟三、通過光刻剝離技術曝光顯影出第二堆疊區域，并在所述第二堆疊區域上通過原子層沉積得到有源層；

步驟四、通過光刻剝離技術曝光顯影出第三堆疊區域，并在所述第三堆疊區域上通過沉積得到叉指電極層；

其中，所述導電膜為金屬或氧化物導電膜，所述絕緣層為高介電常數的氧化物絕緣體，所述有源層為氧化鎵和氮化鋁，所述叉指電極層為金屬或導電氧化物。

2.根據權利要求1所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述對襯底進行預處理過程包括：

將襯底置于丙酮溶液中，室溫下超聲清洗3～5min；再置于乙醇溶液中，室溫下超聲清洗3～5min；再置于去離子水中，室溫下超聲清洗3～5min；高純氮氣吹干，放入烘箱85～90℃烘干5～7min。

3.根據權利要求2所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述通過光刻剝離技術曝光顯影出柵極區域包括：

在所述襯底上旋涂第一光刻膠，在90～92℃下前烘3min，烘好的襯底用第一光刻板覆蓋后，進行曝光和顯影，得到具有柵極區域的襯底。

4.根據權利要求3所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述在柵極區域蒸鍍導電膜包括：

通過蒸鍍方法在具有柵極區域的襯底上蒸鍍導電膜，完成蒸鍍后，將其置于丙酮中超聲1～2min，用乙醇和去離子水沖洗干凈，氮氣吹干。

5.根據權利要求4所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟二包括：

將涂好第二光刻膠的蒸鍍導電膜襯底在90～92℃下前烘3min后，覆蓋第二光刻板并進行曝光和顯影，得到具有第一堆疊區域的襯底，將得到的襯底置于原子層沉積設備真空腔室中，通過原子層沉積在具有第一堆疊區域的襯底上沉積絕緣層；

其中，沉積層為50nm的氧化鋁。

6.根據權利要求5所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟三包括：

將涂好第三光刻膠的生長絕緣層的的襯底在90～92℃下前烘3min后，覆蓋第二光刻板進行曝光和顯影，得到具有第二堆疊區域的襯底，通過原子層沉積在具有第二堆疊區域的襯底上沉積有源層；

其中，原子層沉積有源層的n型材料單一厚度為10nm，p型材料厚度為5nm，總厚度為25nm。

7.根據權利要求6所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟四包括：

將涂好第四光刻膠的生長有源層的襯底在90～92℃下前烘3min后，覆蓋第三光刻板進行曝光和顯影，得到具有第三堆疊區域的襯底，在具有第三堆疊區域的襯底上進行蒸鍍叉指電極層，厚度為50nm。

8.根據權利要求7所述的日盲紫外光敏晶體管的制備方法，其特征在于，

所述導電膜為鋁，所述絕緣層為氧化鋁，所述叉指電極層為鋁，所述襯底為玻璃、藍寶石、硅片、聚對苯二甲酸或者聚酰亞胺中的一種。