[發(fā)明專利]鎘基超分子聚合物及其制法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110590270.2
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113265064B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃坤林;張愿;陳新;胡敏
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶師范大學(xué)
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00;C08L33/12;C08L87/00;C08J5/18;C08F120/14;C09K11/06;C09K11/02
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務(wù)所(普通合伙) 50211
• 代理人: 郭麗;郭云

1.一種鎘基超分子聚合物，其特征在于，其化學(xué)通式為[Cd₂(Hpip)₂(tpt)₂(H₂O)]_n，屬于單斜晶系，空間群為P2/n，晶胞參數(shù)所述化學(xué)通式中，組分Hpip^2-是半剛性的三元有機(jī)羧酸H₃pip脫去2個質(zhì)子所得，所述H₃pip結(jié)構(gòu)如式Ⅰ所示；組分tpt結(jié)構(gòu)如式Ⅱ所示，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎘基超分子聚合物，其特征在于，所述鎘基超分子聚合物晶體結(jié)構(gòu)的不對稱單元中，包含2個晶體學(xué)獨(dú)立的Cd²⁺離子、2個Hpip^2-、2個tpt組分和1個配位水分子；每個所述Hpip^2-與2個Cd²⁺離子配位，配位模式如式III所示，其中Cd1為六配位，而Cd2為七配位；組分tpt橋聯(lián)2個Cd²⁺離子，配位如式IV所示；其中，式III和IV中原子數(shù)字標(biāo)記表示來源，數(shù)字右上角標(biāo)為對稱轉(zhuǎn)換，

3.一種如權(quán)利要求1或2所述的鎘基超分子聚合物的制備方法，其特征在于，所述聚合物以H₃pip、tpt、Cd(NO₃)₂·4H₂O和HNO₃作為原料，以乙腈和水的混合溶液作為溶劑，采用溶劑熱合成法制備。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鎘基超分子聚合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法具體包括如下步驟：

(1)將上述原料和溶劑混合形成反應(yīng)體系，置于密閉容器中；所述原料H₃pip：tpt：Cd(NO₃)₂·4H₂O：HNO₃的物質(zhì)的量比為1：1：1.5：3.1～5.3；所述溶劑乙腈和水的體積比1～3：9～7；

(2)將反應(yīng)體系置于室溫下攪拌10～30min，然后聚四氟內(nèi)襯密封在鋼套內(nèi)置于恒溫鼓風(fēng)烘箱中，將烘箱內(nèi)溫度升溫至130～160℃，反應(yīng)3-5天，之后自然冷卻、過濾、干燥，得到棒狀晶體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎘基超分子聚合物的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述H₃pip：tpt：Cd(NO₃)₂·4H₂O：HNO₃的物質(zhì)的量比為1：1：1.5：3.2。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎘基超分子聚合物的制備方法，其特征在于，所述反應(yīng)體系中H₃pip或tpt的初始物質(zhì)的量濃度為3.3mmol/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎘基超分子聚合物的制備方法，其特征在于，步驟(2)中反應(yīng)溫度為130℃，所述干燥是指晶體用蒸餾水洗滌后，室溫下在空氣中自然干燥。

8.一種鎘基超分子聚合物的應(yīng)用，其特征在于，將采用權(quán)利要求3～7任一所述方法制得的鎘基超分子聚合物在熒光材料與器件的應(yīng)用。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鎘基超分子聚合物的應(yīng)用，其特征在于，將所述鎘基超分子聚合物設(shè)置于MMA(甲級丙烯酸甲酯)原料中制成熒光薄膜材料。