[發明專利]一種高性能電磁輻射抑制結構

有效

• 申請號: 202110590255.8
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113286418B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 李爾平;雷曉勇;李燕;孫喆
• 申請（專利權）人: 海寧利伊電子科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H01Q15/00;H01Q17/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林超

1.一種高性能電磁輻射抑制結構，包括散熱蓋(1)和PCB板(7)，散熱蓋(1)位于PCB板(7)上方，PCB板(7)上設有芯片封裝(5)，芯片封裝(5)和散熱蓋(1)底面之間通過導熱膠(4)連接，其特征在于：芯片封裝(5)周圍的散熱蓋(1)與PCB板(7)之間具有空氣間隙(6)，空氣間隙(6)中靠近散熱蓋(1)的區域布置有周期性排列的超材料吸波體(2)，使得芯片封裝(5)周圍布置有超材料吸波體(2)；同時導熱膠(4)頂面和散熱蓋(1)底面之間添加有石墨烯結構(3)；

所述的石墨烯結構(3)與超材料吸波體(2)之間存在環形的空氣間隙。

2.根據權利要求1所述的一種高性能電磁輻射抑制結構，其特征在于：

所述超材料吸波體(2)以周期性陣列形式固定在散熱蓋(1)底面，且超材料吸波體(2)底面和PCB板(7)依然具有間隙。

3.根據權利要求2所述的一種高性能電磁輻射抑制結構，其特征在于：

每個所述超材料吸波體(2)均是主要由頂層的諧振單元(8)、中間層的有耗介質層(9)和底層的全金屬板(10)構成，諧振單元(8)固定貼附于散熱蓋(1)底面；諧振單元(8)主要有在對角線上兩側對稱布置的開口環構成，每個開口環在靠近對角線中心的一端設置開口，靠近對角線中心的一端相比遠離對角線中心的一端的寬度尺寸更大。

4.根據權利要求3所述的一種高性能電磁輻射抑制結構，其特征在于：

所述的介質層(9)材料采用羅杰斯6010，介電常數為10.7，介質損耗角正切值為0.0027。

5.根據權利要求1所述的一種高性能電磁輻射抑制結構，其特征在于：

所述石墨烯結構(3)貼附到導熱膠(4)上方，尺寸與導熱膠保持一致。

6.權利要求1～5任一所述高性能電磁輻射抑制結構的應用，其特征在于：所述的電磁輻射抑制結構在商用通信、芯片以及PCB板封裝中的應用。