[發明專利]光檢測設備和電子裝置

在審

• 申請號: 202110590081.5
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN113506812A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 小林賢司;若野壽史;大竹悠介
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/522;H01L31/107
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 房嶺梅;姚鵬

本發明涉及光檢測設備和電子裝置。其中，所述光檢測設備可包括：像素，所述像素包括正極區域和負極區域；以及配線層，所述配線層包括：正極電極；連接至所述正極區域和所述正極電極的正極過孔；負極電極；以及連接至所述負極區域和所述負極電極的負極過孔，其中，在平面圖中，所述正極過孔位于所述像素的四個角部。

本申請是申請日為2018年7月25日、發明名稱為“固體攝像器件”的申請號為201880003275.7的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及固體攝像器件(或攝像器件)和/或包括攝像器件的電子裝置，特別地，涉及被配置成抑制噪聲發生的固體攝像器件和/或電子裝置。

相關申請的交叉參考

本申請要求2017年8月4日提交的日本優先專利申請JP2017-151980的權益，并將該日本優先專利申請的全部內容以引用的方式并入本文。

背景技術

固體攝像器件用來在相機或類似設備中采集圖像。在光入射面布置在半導體基板的正面上的正面照射型固體攝像器件中，消弧電路(quench circuit)布置在半導體基板的正面側(光入射面側)上。結果，孔徑比由于空間而減小。

另一方面，在背面照射型固體攝像器件中，消弧電路布置在與半導體基板的光入射面相反的一側(背面側)上。即使在背面照射型固體攝像器件中，各像素的尺寸有時也會由于諸如像素的數量增加等因素而減小。在這種情況下，由于工藝設計的限制，消弧電路有時可能必須布置在各像素的有效區域的外部，且因此，在這種情況下，孔徑比也減小。因此，已經提出了將消弧電路布置在安裝基板上而不是布置在半導體基板上的技術(例如，PTL1)。

此外，已經提出了這樣的技術：通過將從包括半導體區域表面的參考平面到讀出布線的距離增大到大于從該參考平面到表面電極的距離并且通過增加設計讀出布線的寬度時的自由度來減小孔徑比(例如，PTL2)。

此外，已經提出了這樣的技術：通過連接區域連接用于交換信號的第一半導體芯片和第二半導體芯片并且在連接區域中形成用于交換信號的凸塊和用于圍繞凸塊的屏蔽構件來降低噪聲(例如，PTL 3)。

引用列表

專利文獻

PTL 1：JP 2013-89919A

PTL 2：JP 2016-192551A

PTL 3：JP 2015-60909A

發明內容

技術問題

然而，在PTL 1的技術中，因為雪崩光電二極管和消弧電路是層疊的，所以縮短了與相鄰的雪崩光電二極管連接的負極布線與電極之間的距離，使得寄生電容增加。此外，當孔徑比增大時，整個像素部的倍增層的密度增大，且因此，擊穿時產生的電流的量也增加，使得雪崩擊穿發生時的正極電壓的波動量增加。因此，難以抑制噪聲。

此外，在PTL 2的技術中，難以減小讀出布線之間的寄生電容的影響，且在小型化的情況下，難以抑制由讀出布線之間的干擾造成的噪聲。

此外，在PTL 3的技術中，屏蔽構件的長度增大，且因此，電阻值相應地增加，使得雪崩擊穿發生時的正極電壓的波動量增加。因此，難以抑制噪聲。

本發明是鑒于上述情況而做出的，并且本發明旨在抑制噪聲。

技術問題的解決方案