[發明專利]存儲器器件、半導體存儲器結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110588736.5
• 申請日: 2021-05-28
• 公開（公告）號: CN113380290A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 姜慧如;林仲德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C11/40;G11C11/409;G11C11/4094
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器器件，包括多個存儲器單元，其中，所述多個存儲器單元中的第一存儲器單元包括：

第一寫入晶體管，包括第一寫入柵極、第一寫入源極和第一寫入漏極；以及

第一讀取晶體管，包括第一讀取柵極、第一讀取源極、第一讀取漏極以及將所述第一讀取源極與所述第一讀取漏極分離的第一體區，其中，所述第一讀取源極耦合至所述第一寫入源極；以及

第一電容器，具有耦合至所述第一寫入漏極的第一上電容器板和耦合至所述第一讀取晶體管的所述第一體區的第一下電容器板。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，還包括：

第一寫入字線，耦合至所述第一寫入柵極；

寫入位線，耦合至所述第一寫入源極和所述第一讀取源極；

寫入偏置電路，耦合至所述第一寫入字線和所述寫入位線，所述寫入偏置電路被配置為布置存儲在所述第一電容器上的電荷量，其中，所述所存儲的電荷量將所述第一讀取晶體管的電壓閾值布置為對應于至少兩個預定數據狀態中的一個。

3.根據權利要求2所述的存儲器器件，還包括：

讀取字線，耦合至所述第一讀取柵極；

讀取位線，耦合至所述第一讀取漏極；

讀取偏置電路，耦合至所述第一讀取漏極，所述讀取偏置電路被配置為通過確定由存儲在所述第一電容器上的所述電荷量設置的電壓閾值是大于還是小于預定電壓閾值而確定存儲在所述第一存儲器單元中的數據狀態。

4.根據權利要求3所述的存儲器器件，其中，所述第一寫入字線和所述第一讀取位線從上面布置有所述多個存儲器單元的半導體襯底的上表面向上彼此平行地延伸，并且其中，所述第一寫入字線與所述第一讀取位線相對于彼此布置在第一存儲器單元的相對側上。

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述多個存儲器單元中的第二存儲器單元在所述第一存儲器單元旁邊布置，并包括：

第二寫入晶體管，包括第二寫入柵極、第二寫入源極和第二寫入漏極；以及

第二讀取晶體管，包括第二讀取柵極、第二讀取源極、第二讀取漏極以及將所述第二讀取源極與所述第二讀取漏極分離的第二體區，其中，所述第二讀取源極耦合至所述第二寫入源極；

第二電容器，具有耦合至所述第二寫入漏極的第二上電容器板和耦合至所述第二讀取晶體管的所述第二體區的第二下電容器板；以及

第一寫入字線，在所述第一存儲器單元與所述第二存儲器單元之間延伸，所述第一寫入字線耦合至所述第一寫入柵極和所述第二寫入柵極，并且所述第一和第二存儲器單元是關于所述第一寫入字線的彼此的鏡像。

6.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述多個存儲器單元中的第二存儲器單元在所述第一存儲器單元上方布置，并包括：

第二寫入晶體管，包括第二寫入柵極、第二寫入源極和第二寫入漏極；以及

第二讀取晶體管，包括第二讀取柵極、第二讀取源極、第二讀取漏極以及將所述第二讀取源極與所述第二讀取漏極分離的第二體區，其中，所述第二讀取源極耦合至所述第二寫入源極；

第二電容器，具有耦合至所述第二寫入漏極的第二上電容器板和耦合至所述第二讀取晶體管的所述第二體區的第二下電容器板；以及

第一寫入字線，在所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元旁邊延伸，所述第一寫入字線耦合至所述第一寫入柵極和所述第二寫入柵極。