[發明專利]三維存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202110588022.4
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113410252B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 陳赫;肖亮;伍術;黃磊;穆鈺平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11575
• 分類號: H01L27/11575;H01L27/11582;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

堆疊的第一絕緣層、源極層和堆疊結構，所述源極層位于所述第一絕緣層和所述堆疊結構之間，所述堆疊結構包括交替堆疊的導電層和層間絕緣層；

若干穿過所述堆疊結構的溝道結構；

連接層，位于所述第一絕緣層背離所述堆疊結構的一側，并具有凸出部，所述凸出部穿過所述第一絕緣層與所述源極層電連接；

若干接地結構，位于所述源極層背向堆疊結構的一側，所述接地結構穿過所述第一絕緣層，且兩端分別與所述源極層、所述連接層電連接；

至少部分所述接地結構在最鄰近所述源極層的導電層上的投影與所述導電層重疊。

2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，其中之一所述接地結構位于所述溝道結構正下方。

3.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，其中之一所述接地結構在最鄰近所述源極層的導電層上的投影、與所述溝道結構在所述導電層上的投影錯開設置。

4.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述接地結構與所述源極層為相同材質。

5.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

覆蓋所述堆疊結構及所述源極層的第二絕緣層；

第一觸點，穿過所述第二絕緣層、所述源極層及所述第一絕緣層，并與所述連接層電連接。

6.如權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

第二觸點，穿過所述第二絕緣層與所述堆疊結構的導電層連接。

7.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

互連結構，位于所述堆疊結構背離所述源極層的一側，所述互連結構與溝道結構電連接。

8.如權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

外圍電路，位于所述互連結構背離堆疊結構的一側，并與所述互連結構電連接。

9.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

提供堆疊設置的第一絕緣層、源極層和堆疊結構，所述源極層位于所述第一絕緣層和所述堆疊結構之間，所述堆疊結構包括交替堆疊的導電層和層間絕緣層；

在所述堆疊結構上形成若干穿過所述堆疊結構的溝道結構；

在所述第一絕緣層內形成若干接地結構，其中，至少部分所述接地結構在最鄰近所述源極層的導電層上的投影與所述導電層重疊；

在所述第一絕緣層背離所述堆疊結構的一側形成連接層，其中，所述連接層具有凸出部，所述凸出部穿過所述第一絕緣層與所述源極層電連接；每個所述接地結構的兩端分別與所述源極層、所述連接層電連接。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，其中之一所述接地結構位于所述溝道結構正下方。

11.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，其中之一所述接地結構在最鄰近所述源極層的導電層上的投影、與所述溝道結構在所述導電層上的投影錯開設置。

12.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述接地結構與源極層為相同材質。

13.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣層背離所述源極層的一側疊設有功能層，在形成所述連接層之前，所述制備方法還包括：

在所述源極層和所述堆疊結構上覆蓋第二絕緣層；

在所述第二絕緣層、所述源極層及所述第一絕緣層內形成第一觸點，其中，所述第一觸點不伸入所述功能層內。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述功能層為襯底，所述第一觸點不伸入所述襯底內。