[發(fā)明專利]天啟星座通信載荷EMC分析模型及EMC特性改進(jìn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110587695.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113408106B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭愛武;呂強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京國(guó)電高科科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20;G06F30/15;G06F119/02 |
| 代理公司: | 北京金蓄專利代理有限公司 11544 | 代理人: | 姚金良 |
| 地址: | 100080 北京市海*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 天啟 星座 通信 載荷 emc 分析 模型 特性 改進(jìn) 方法 | ||
1.一種天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于包括:
針對(duì)載荷輻射騷擾,建立天啟衛(wèi)星載荷的EMC分析模型,所述EMC分析模型包括載荷艙、布置在載荷艙內(nèi)載荷結(jié)構(gòu)艙、以及連接至載荷結(jié)構(gòu)艙的載荷天線,并且設(shè)定如下參數(shù):
R0:外部進(jìn)入載荷天線的自然噪聲及干擾信號(hào);
C:載荷天線與載荷之間同軸射頻電纜傳導(dǎo)系數(shù);
G:載荷通道增益;
Rd:DCS載荷對(duì)星體干擾信號(hào)的輻射系數(shù);
Rs:星體對(duì)載荷天線干擾信號(hào)的輻射系數(shù);
Ed:載荷結(jié)構(gòu)艙的屏蔽系數(shù);
Es:星體載荷艙的屏蔽系數(shù);
根據(jù)載荷EMC分析模型,確定理想情況下載荷接收通道的噪底N0為:N0=R0+C+G;
確定所述噪底經(jīng)輻射耦合回載荷天線的干擾為:
N1=[(N0-Ed)*Rd-Es]*Rs+C+G;
同理有:
Ni=[(Ni-1-Ed)*Rd-Es]*Rs+C+G,其中:i為自然數(shù),Ni為第i次經(jīng)輻射耦合回載荷天線的干擾;
因此,確定實(shí)際載荷接收通道噪底為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過減小載荷天線與載荷之間同軸射頻電纜傳導(dǎo)系數(shù)、載荷通道增益、DCS載荷對(duì)星體干擾信號(hào)的輻射系數(shù)、星體對(duì)載荷天線干擾信號(hào)的輻射系數(shù)中的一個(gè)或多個(gè),以提升EMC特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過增大載荷結(jié)構(gòu)艙的屏蔽系數(shù)和/或星體載荷艙的屏蔽系數(shù)以提升EMC特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,載荷天線與載荷之間同軸射頻電纜傳導(dǎo)系數(shù)是固定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過在載荷艙內(nèi)部貼吸波材料的方式減小DCS載荷對(duì)星體干擾信號(hào)的輻射系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過增加屏蔽材料的方式增大載荷結(jié)構(gòu)艙的屏蔽系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過增加屏蔽材料的方式增大星體載荷艙的屏蔽系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過對(duì)載荷接插件縫隙、結(jié)構(gòu)縫隙使用屏蔽材料進(jìn)行包裹以提升EMC特性。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過對(duì)載荷供電線及數(shù)據(jù)線進(jìn)行屏蔽處理以提升EMC特性。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天啟星座通信載荷EMC分析模型的改進(jìn)方法,其特征在于,通過對(duì)衛(wèi)星載荷艙艙板上穿線纜的孔使用屏蔽材料進(jìn)行包裹以提升EMC特性。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京國(guó)電高科科技有限公司,未經(jīng)北京國(guó)電高科科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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