[發明專利]半導體基板結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110587193.5
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113555338A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明公開了一種半導體基板結構及其形成方法。半導體基板結構包括：載板；多個導電柱，穿過載板；線路層，設置于載板的相對側上，線路層中的線路與多個導電柱連接以形成第一導電路徑和第二導電路徑；其中，第一導電路徑和第二導電路徑分別相對于相同的中心線對稱設置。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種半導體基板結構及其形成方法。

背景技術

隨著封裝技術的演進，各式各樣的封裝結構亦推陳出新，整體封裝尺寸也越來越小。另外，隨著功能也越來越多，對被動元件的需求亦越來越高。傳統被動元件大多是貼片在基板表面，電性表現比較不好。因此業界開始內埋被動元件，以改善電性問題。但內埋被動元件需要在基板中挖出空腔、將被動元件放置在空腔中、再填充空腔等多道制程，亦伴隨良率與其他問題，故如何有效整合基板與被動元件便顯重要。

以電感為例，先前技術將線圈設置在基板各層線路上，但是這種做法的空間利用率有限。在一些情況下，基板尺寸是依照整體封裝所需設計出來，尺寸無法變更，若在基板中內埋大電感值的電感器則會有厚度過厚的問題。增加電感值有兩種方法，一種是增加電感數量、另一種選用厚度大的大電感。而無論選用哪一種，在限制基板大小及厚度情況下都無法滿足需求。

發明內容

針對相關技術中的問題，本發明提出一種半導體基板結構及其形成方法。

本發明的技術方案是這樣實現的：

根據本發明的一個方面，提供了一種半導體基板結構，包括：載板；多個導電柱，穿過載板；線路層，設置于載板的相對側上，線路層中的線路與多個導電柱連接以形成第一導電路徑和第二導電路徑。其中，第一導電路徑和第二導電路徑分別相對于相同的中心線對稱設置。

在上述半導體基板結構中，第一導電路徑包覆第二導電路徑。

在上述半導體基板結構中，第一導電路徑的長度大于第二導電路徑的長度。

在上述半導體基板結構中，還包括：保護層，設置于線路層上，第二導電路徑包括由保護層暴露的第二焊盤。

在上述半導體基板結構中，第一導電路徑和第二導電路徑對應的電感線圈具有不同的電感值。

在上述半導體基板結構中，第一導電路徑包括第一焊盤，連接于第一焊盤下方的導電柱穿過第二導電路徑。

在上述半導體基板結構中，第一焊盤和導電柱之間設置有通孔。

在上述半導體基板結構中，線路層中的線路與多個導電柱連接還形成第三導電路徑。其中，第三導電路徑相對于中心線對稱設置，第三導電路徑包覆第一導電路徑。

在上述半導體基板結構中，第一線路層不連接第二線路層。

根據本發明的另一個方面，還提供了一種形成半導體基板結構的方法，包括：提供載板并形成穿過載板的多個導電柱；在載板上形成連接多個導電柱的第一線路層；在第一線路層上形成連接多個導電柱的第二線路層；在第二線路層上形成保護層；在保護層上形成第一焊盤和第二焊盤分別連接第一線路層和第二線路層。其中，第一線路層不連接第二線路層。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據本發明的實施例提供了半導體基板結構的示意圖。

圖2A是根據本發明實施例的半導體基板結構的俯視示意圖。

圖2B是根據本發明實施例的第一和第二導電路徑中的任意一個的立體示意圖。