[發明專利]單晶電池片、光伏組件及可抑制點狀污染出現的鍍膜方法

在審

• 申請號: 202110587116.X
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN115411137A
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 厲文斌;何悅;任勇
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02;C23C16/02;C23C16/34;C23C16/505
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 張美月

1.一種可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述可抑制點狀污染出現的鍍膜方法包括：

將含氧化鋁鍍層的電池片置于石墨舟中，并將其置于鍍膜裝置的鍍膜腔體；

使所述鍍膜腔體進行第一次抽真空過程和第一次升溫過程，其中所述第一次升溫過程中的壓力為常壓；

采用第一清洗氣對所述含氧化鋁鍍層的電池片進行第一清洗過程；

對經過所述第一清洗過程處理的電池片進行鍍膜。

2.根據權利要求1所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述第一次抽真空過程的壓力低于50mTorr，時間為2～6mim；

所述第一次升溫過程中，氣流量為0，目標溫度為300～400℃，升溫速率為10～20℃/min。

3.根據權利要求1或2所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述第一清洗過程中，所述第一清洗氣的流量為500～2500sccm，壓力為9～11Torr，清洗時間為60～240s。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，在所述第一清洗過程和所述鍍膜過程之間，所述可抑制點狀污染出現的鍍膜方法還包括：

使所述鍍膜腔體進行第二次升溫過程，然后采用第二清洗氣對所述電池片進行第二清洗處理。

5.根據權利要求4所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述第二次升溫過程中，氣體流速為0，壓力為常壓，目標溫度為450～500℃，升溫時間為10～20min；

所述第二清洗過程中，所述第二清洗氣為氨氣和笑氣，其中所述氨氣的流量為500～2500sccm，所述笑氣的流量為500～2500sccm，使爐內壓力回到1000～2000mTorr，清洗時間為30～180s。

6.根據權利要求1所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述第一清洗氣選自笑氣、O₂、O₃和水蒸氣成的組中的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜過程包括：

使所述鍍膜腔體進行第三抽真空處理，向所述鍍膜腔體通入特氣，在預定的壓力、電子氣流量和射頻下進行氮化硅膜沉積，形成氮化硅膜層，其中所述特氣為硅烷和氨氣。

8.根據權利要求7所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜過程中，所述硅烷流量為0～1000sccm，氨氣流量為500～1000sccm，壓力為1200～1700mTorr，射頻功率3500～4200w，射頻設備的打開時間和關閉時間的比值為1:7～1:15，沉積時間8～20min。

9.一種單晶電池片，包括氮化硅鍍層，其特征在于，所述氮化硅鍍層采用權利要求1至8中任一項所述的可抑制點狀污染出現的鍍膜方法形成。

10.一種光伏組件，其特征在于，所述光伏組件包括權利要求9所述單晶電池片。