[發明專利]選擇器裝置及半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 202110585873.3 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN115117237A | 公開（公告）日： | 2022-09-27 |
| 發明（設計）人： | 顧天翼 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選擇器 裝置 半導體 存儲 | ||
1.一種選擇器裝置，具備：
第1電極；
第2電極；
選擇器層，配置在所述第1電極與所述第2電極之間；以及
層疊膜，配置在所述第1電極與所述選擇器層之間以及所述第2電極與所述選擇器層之間的至少一者，具有包含選自由碳及金屬所組成的群中的至少一種第1元素且不含氮的第1層及包含所述第1元素的氮化物的第2層；且
所述第1層以與所述選擇器層相接的方式配置。
2.根據權利要求1所述的選擇器裝置，其中
所述第1元素是選自由碳、鎢、鈦、鉬、及鉭所組成的群中的至少1種。
3.根據權利要求1或2所述的選擇器裝置，其中
所述第1層包含不含氮化物的碳，所述第2層包含碳的氮化物。
4.根據權利要求1或2所述的選擇器裝置，其中
所述層疊膜具有包含所述第1元素且不含氮的第3層，
所述第3層以與所述第1電極及所述第2電極的至少一者相接的方式配置，所述第2層配置在所述第1層與所述第3層之間。
5.根據權利要求4所述的選擇器裝置，其中
所述層疊膜僅配置在所述第1電極與所述選擇器層之間以及所述第2電極與所述選擇器層之間的其中一者，
且在未配置所述層疊膜的、所述第1電極與所述選擇器層之間以及所述第2電極與所述選擇器層之間的其中另一者，配置有包含所述第1元素且不含氮的第4層。
6.根據權利要求5所述的選擇器裝置，其中
所述第3層包含不含氮化物的碳。
7.根據權利要求1或2所述的選擇器裝置，其中
所述選擇器層包含選自由鍺、鎵、錫、硅、銦、鋁、碳、硼、銻、砷、及磷所組成的群中的至少一種第2元素、以及選自由碲、硒、及硫所組成的群中的至少一種第3元素。
8.根據權利要求6所述的選擇器裝置，其中
所述選擇器層還包含選自由銀、鉍、鈧、銅、鉻、鈦、鋯、及鉿所組成的群中的至少一種第4元素。
9.根據權利要求6所述的選擇器裝置，其中
所述選擇器層還包含選自由氧及氮所組成的群中的至少一種第5元素。
10.根據權利要求7所述的選擇器裝置，其中
所述選擇器層包含鍺、硅、銦、砷、及硒。
11.一種半導體存儲裝置，具備：
權利要求1至9中任一項所述的選擇器裝置；以及
阻變層，與所述選擇器裝置的所述選擇器層電連接，且與所述選擇器層層疊。
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