[發明專利]提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法有效
| 申請號： | 202110585784.9 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113540300B | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發明（設計）人： | 姚振;從穎;董彬忠;梅勁;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 表面 平整 發光二極管 外延 制備 方法 | ||
1.一種提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法包括：
提供一襯底；
使反應腔充滿第一氮氣；
向所述反應腔通入5～20sccm的Al源；
使所述反應腔充滿第一氫氣；
向所述反應腔同時通入第二氮氣與第二氫氣；
在所述襯底上依次生長GaN緩沖層、n型層、多量子阱層與p型層。
2.根據權利要求1所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述使反應腔充滿第一氮氣，包括：
向所述反應腔間斷性地通入第一氮氣，每次通入所述第一氮氣的量為150～300L。
3.根據權利要求2所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，每次通入所述第一氮氣的時長為1～2min。
4.根據權利要求2所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，兩次通入所述第一氮氣之間的間隔時長為10～50s。
5.根據權利要求1～4任一項所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向所述反應腔通入Al源的時長為20～60s。
6.根據權利要求1～4任一項所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述使所述反應腔充滿第一氫氣，包括：
向所述反應腔持續通入160～300L的第一氫氣。
7.根據權利要求6所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向所述反應腔通入100～300s的所述第一氫氣。
8.根據權利要求1～4任一項所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，使所述反應腔充滿第一氫氣之后，
間隔第一時長后向所述反應腔同時通入第二氮氣與第二氫氣。
9.根據權利要求1～4任一項所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向所述反應腔同時通入150～250L的第二氮氣與80～200L的第二氫氣。
10.根據權利要求1～4任一項所述的提高表面平整度的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向所述反應腔同時通入第二氮氣與第二氫氣的時長為30～80s。
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