[發明專利]一種低鈷單晶正極材料的制備方法

在審

• 申請號: 202110585711.X
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113707872A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 梁正;孫旭;王浩;陸和杰;李海強;盧瑤;郭曉旭;孫全勝;李永紅;吳平
• 申請（專利權）人: 寧夏漢堯石墨烯儲能材料科技有限公司;寧夏航漢石墨烯技術研究院（有限公司）
• 主分類號: H01M4/485
• 分類號: H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525
• 代理公司: 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333
• 代理人: 李萍

1.一種低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，包括：

將鎳鈷錳前驅體、氧化性鋰鹽、添加劑一混合，一次焙燒，得到單晶正極材料中間產物。

2.根據權利要求1所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述氧化性鋰鹽中的鋰的摩爾數，和鎳鈷錳前驅體中鎳、鈷、錳總摩爾數的摩爾比為(1.02～1.3)：1。

3.根據權利要求1所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述氧化性鋰鹽選自高氯酸鋰、高錳酸鋰、過氧化鋰、超氧化鋰、亞硝酸鋰、亞硫酸鋰、硫代硫酸鋰、鉍酸鋰、次氯酸鋰、亞氯酸鋰中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征于，所述鎳鈷錳前驅體中的鎳、鈷、錳的摩爾比滿足：0.30≤x≤0.95，0≤y≤0.1，0≤z≤0.4，x+y+z＝1。

5.根據權利要求1～4任意一項所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述添加劑一中的元素包括Mg、Ca、Sr、Ba，Sn、B、Al、Ga、Bi、Si、Na、Ce、In、S、F、P、Sb、C、Rh、Ti、Zr、Mo、V、W、Nb、Y、Ta、Cr、La、Ce、Pr、Mg、Ca中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述添加劑一占鎳鈷錳前驅體和氧化性鋰鹽總重量的0～10wt％。

7.根據權利要求1所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述一次焙燒后，得到氧化性鋰鹽改性中間產物，加入添加劑二、二次焙燒，得到低鈷單晶正極材料。

8.根據權利要求7所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述添加劑二占氧化性鋰鹽改性中間產物的0～10wt％。

9.根據權利要求7所述的低鈷單晶正極材料的制備方法，其特征在于，所述添加劑二中的元素包括Mg、Ca、Sr、Ba，Sn、B、Al、Ga、Bi、Si、Na、Ce、In、S、F、P、Sb、C、Rh、Ti、Zr、Mo、V、W、Nb、Y、Ta、Cr、La、Ce、Pr、Mg、Ca中的至少一種。

10.一種根據權利要求1～9任意一項所述的低鈷單晶正極材料的制備方法的應用，其特征在于，用于制備低鈷單晶正極材料。