[發(fā)明專利]包含橫向抑制二極管的雙極晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110585271.8 | 申請日： | 2015-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN113471280B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 亨利·利茨曼·愛德華茲 | 申請（專利權(quán)）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/735;H01L21/8222;H01L27/02;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 橫向 抑制 二極管 雙極晶體管 | ||
1.一種晶體管單元，其包括：
集電極槽結(jié)構(gòu)；
耦合至所述集電極槽結(jié)構(gòu)的集電極區(qū)；
位于所述集電極槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的基極層；
耦合至所述基極層的基極區(qū)；
位于所述基極層上方并由所述基極區(qū)橫向包圍的發(fā)射極區(qū)；
二極管，其位于所述基極層的頂表面上并位于所述集電極區(qū)和所述基極區(qū)之間，并通過所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)分開，其中所述二極管包括：
面對所述集電極區(qū)的陰極；以及
與所述陰極橫向相鄰并面對所述基極區(qū)的陽極；以及
氧化物隔離結(jié)構(gòu)，其具有鄰接所述集電極區(qū)的第一側(cè)和鄰接所述陰極的第二側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管單元，其中所述二極管與所述基極區(qū)和所述集電極區(qū)橫向隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管單元，其進一步包括：位于所述基極層上方的硅化物層，所述硅化物層接觸所述陰極和所述陽極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管單元，其中所述陰極耦合至所述基極區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管單元，其中所述集電極槽結(jié)構(gòu)包括：所述基極層下方的掩埋層；以及到達所述掩埋層并橫向圍繞所述基極層的垂直擴散區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管單元，其中：所述基極區(qū)包括彼此間隔開的第一基極區(qū)，第二基極區(qū)和第三基極區(qū)；且所述發(fā)射極區(qū)包括插入在所述第一基極區(qū)和所述第二基極區(qū)之間的第一發(fā)射極區(qū)，以及插入在所述第二基極區(qū)和所述第三基極區(qū)之間的第二發(fā)射極區(qū)。
7.一種晶體管單元，其包括：
集電極槽結(jié)構(gòu)；
耦合至所述集電極槽結(jié)構(gòu)的集電極區(qū)；
位于所述集電極槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的基極層；
耦合至所述基極層的基極區(qū)；
位于所述基極層上方并由所述基極區(qū)橫向包圍的發(fā)射極區(qū)；
二極管，位于所述基極層的頂表面上并位于所述集電極區(qū)和所述基極區(qū)之間，并通過所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)分開，其中所述二極管包括：
面對所述集電極區(qū)的陰極；以及
與所述陰極橫向相鄰并面對所述基極區(qū)的陽極；以及
隔離結(jié)構(gòu)，其具有鄰接所述基極區(qū)的第一側(cè)和鄰接所述陽極的第二側(cè)。
8.一種晶體管單元，其包括：
集電極槽結(jié)構(gòu)；
耦合至所述集電極槽結(jié)構(gòu)的集電極區(qū)；
位于所述集電極槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的基極層；
耦合至所述基極層的基極區(qū)；
位于所述基極層上方并由所述基極區(qū)橫向包圍的發(fā)射極區(qū)；
二極管，其位于所述基極層的頂表面上并位于所述集電極區(qū)和所述基極區(qū)之間，并通過所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)分開，其中所述二極管包括：
面對所述集電極區(qū)的陰極；以及
與所述陰極橫向相鄰并面對所述基極區(qū)的陽極；
其中：所述陰極耦合至第一電極，所述第一電極經(jīng)配置以接收第一電壓；所述基極區(qū)耦合至第二電極，所述第二電極經(jīng)配置以接收低于所述第一電壓的第二電壓；以及所述集電極區(qū)耦合至第三電極，所述第三電極經(jīng)配置以接收高于所述第一電壓的第三電壓。
9.一種靜電放電ESD設(shè)備，其包括：
垂直雙極晶體管單元，其包括：
集電極槽結(jié)構(gòu)；
耦合至所述集電極槽結(jié)構(gòu)的集電極區(qū)；
位于所述集電極槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的基極層；
耦合至所述基極層的基極區(qū)；
位于所述基極層上方并由所述基極區(qū)橫向包圍的發(fā)射極區(qū)；以及
二極管，其位于所述基極層的頂表面上，所述二極管與所述集電極區(qū)和所述基極區(qū)橫向隔離并位于所述集電極區(qū)和所述基極區(qū)之間，并且通過所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)隔開，其中所述二極管包括：
面對所述集電極區(qū)的陰極；
與所述陰極橫向相鄰并面對所述基極區(qū)的陽極；以及
具有鄰接所述集電極區(qū)的第一側(cè)和鄰接所述陰極的第二側(cè)的氧化物隔離結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德州儀器公司，未經(jīng)德州儀器公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110585271.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
