[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法、電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110584752.7 | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113314682A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 屈財玉;郝艷軍;樊宜冰;張慧娟;蓋人榮;劉政 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 電子設(shè)備 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制備方法、電子設(shè)備,其中,一種顯示面板,包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上陣列排布的第一OLED單元和第二OLED單元,所述第一OLED單元包括陽極、陰極以及位于所述陽極背離所述陰極的一側(cè)設(shè)置的反射層,所述反射層位于平坦層中,所述陽極為透明電極,所述陰極為半透明電極。本申請實施例提供的顯示面板,在第一OLED單元的底部設(shè)置反射層,以實現(xiàn)頂發(fā)射功能,為設(shè)置發(fā)射層的第二OLED單元實現(xiàn)底發(fā)射功能,在同一顯示面板上,排布設(shè)置第一OLED單元和第二OLED單元,形成雙面顯示面板。本申請的顯示面板簡化雙面顯示面板中OLED制備流程和工藝,降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及其制備方法、電子設(shè)備。
背景技術(shù)
近年來,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)由于具有主動發(fā)光、發(fā)光亮度高、分辨率高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點(diǎn)而受到更多的關(guān)注。降低OLED制造成本、擴(kuò)展OLED新應(yīng)用場景是提升產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵。
適用于中小尺寸的OLED顯示面板中的發(fā)光元件通常都使用蒸鍍工藝制備。如現(xiàn)行蒸鍍量產(chǎn)線上的蒸鍍設(shè)備一般至少會包括8個有機(jī)腔室(OC,Organic Chamber)和1個金屬腔室(MC,Metal Chamber),用于蒸鍍HTL(Hole Inject Layer;空穴注入層)、R/G/B Prime(電子阻擋層)、R/G/B EML(發(fā)光層)、HBL(Hole Blocking Layer;空穴阻擋層)、ETL(Electron Transport Layer;電子傳輸層)、Cathode(陰極)、CPL(Capping Layer;光提取層)等材料。
現(xiàn)行蒸鍍量產(chǎn)線上會使用至少5張精細(xì)掩膜版(FMM,F(xiàn)ine Metal Mask)蒸鍍R/G/B電子阻擋層與發(fā)光層,以滿足R/G/藍(lán)色對微腔(Micro Cavity)腔長的不同需求,滿足R/G/B發(fā)光層對不同能級、遷移率的電子阻擋層材料的需求。昂貴的蒸鍍機(jī)設(shè)備和FMM備件使得OLED面板的生產(chǎn)成本增大,減少蒸鍍腔室和Mask的使用勢必會降低生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足,期望提供一種顯示面板及其制備方法、電子設(shè)備,可以實現(xiàn)雙面顯示,并且能夠降低OLED的生產(chǎn)成本。
第一方面,本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板,包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上陣列排布的第一OLED單元和第二OLED單元,所述第一OLED單元包括陽極、陰極以及位于所述陽極背離所述陰極的一側(cè)設(shè)置的反射層,所述反射層與所述陽極間隔設(shè)置,所述陽極為透明電極,所述陰極為半透明電極。
進(jìn)一步地,所述第一OLED單元和所述第二OLED單元沿第一方向和/或第二方向依次交替設(shè)置。
優(yōu)選地,所述第一OLED單元和所述第二OLED單元均包括發(fā)光元件以及設(shè)置在所述發(fā)光元件下方的陣列基板,所述發(fā)光元件包括層疊設(shè)置的所述陰極、發(fā)光層、所述陽極,所述陣列基板包括平坦層以及設(shè)置在所述平坦層上方的像素界定層,所述像素界定層上設(shè)置有用于形成所述發(fā)光元件的開口。
進(jìn)一步地,所述反射層上設(shè)置有對應(yīng)所述開口位置的反射圖案,所述開口在所述反射層的正投影位于所述反射圖案的范圍內(nèi)。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光元件包括紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層,所述紅色發(fā)光層到所述反射層之間的距離、所述綠色發(fā)光層到所述反射層之間的距離、所述藍(lán)色發(fā)光層到所述反射層之間的距離依次遞減。
優(yōu)選地,所述紅色發(fā)光層到所述反射層之間的距離為185-415nm;所述綠色發(fā)光層到所述反射層之間的距離為140-390nm;所述藍(lán)色發(fā)光層到所述反射層之間的距離為95-345nm。
優(yōu)選地,所述反射層到所述陽極的距離大致相等。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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