[發明專利]基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器有效
| 申請號： | 202110584194.4 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113422183B | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發明（設計）人： | 牛軍浩;王嘉潔;葉捷勝;駱薇羽;許川佩;朱愛軍 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | H01P1/208 | 分類號： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 張學平 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 側雙微腔 耦合 結構 波導 濾波器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
包括介質基底、金屬薄膜、同心雙半圓環波導諧振腔和直線波導腔，所述金屬薄膜設置于所述介質基底的上端面，所述金屬薄膜上設置有所述直線波導腔，以及位于所述直線波導腔上側的所述同心雙半圓環波導諧振腔；所述同心雙半圓環波導諧振腔包括第一半環諧振腔和第二半環諧振腔，且所述第一半環諧振腔和所述第二半環諧振腔呈共心形式上下排列，所述第一半環諧振腔和第二半環諧振腔的開口均朝向直線波導腔一側，所述同心雙半圓環波導諧振腔與所述直線波導腔之間構成邊界耦合方式。
2.如權利要求1所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述介質基底采用SiO2基底。
3.如權利要求1所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述金屬薄膜采用Ag制成。
4.如權利要求1所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述直線波導腔的寬度為50nm。
5.如權利要求4所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述直線波導腔的長度為1500nm。
6.如權利要求4所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述第一半環諧振腔的中心半徑為120nm。
7.如權利要求4所述的基于同側雙微腔耦合結構的波導濾波器，其特征在于，
所述第二半環諧振腔的中心半徑為245nm。
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