[發明專利]一種顯示裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 202110584041.X | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113314581A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發明(設計)人: | 劉雪龍;張偉;何雨濛;杜小波;李彥松 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李遠思 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
本發明實施例公開一種顯示裝置及其制備方法。在一具體實施方式中,該顯示裝置包括顯示基板,還包括設置于顯示基板的出光側的濾光層,濾光層為含釹的金屬層。該實施方式的顯示裝置采用含釹的金屬層作為濾光層,通過釹的物理特性可對紅色、綠色和藍色光譜進行部分吸收,以使得紅色、綠色和藍色光譜窄化,從而增強顯示裝置的色純度,提高顯示裝置的顯示畫質。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域。更具體地,涉及一種顯示裝置及其制備方法。
背景技術
有機電致發光顯示(Organic Electro-Luminance Display,簡稱為:OLED)作為一種以其自發光的特征不需要單獨的光源的裝置,可以被制得更輕更纖薄。另外,OLED顯示裝置還具有優異的顏色實現、響應速度、視角、對比度(Computed Radiography,簡稱為:CR),以及因低電壓操作帶來的低功耗優點。目前,OLED顯示裝置已被廣泛應用于顯示技術領域。
色純度作為表征顏色鮮艷度的參數,其大小直接決定著OLED顯示裝置的顏色的鮮艷程度,直接影響OLED顯示裝置的顯示畫質。因此,提高色純度和增大色域一直是OLED顯示裝置結構優化的重要目標之一。可理解的是,純綠光的波長范圍為515-535nm,而目前的有機綠色光源覆蓋的范圍為500-600nm,此外,純紅光的波長范圍為615-630nm,純藍光的波長范圍為440-475nm,而目前的有機紅色光源的覆蓋范圍為580-730nm,有機藍色光源的覆蓋范圍為430-500nm。由此可見,現有的有機光源覆蓋范圍相比于純色光的波長范圍較廣,嚴重影響OLED顯示裝置的色純度,無法達到紅綠藍三原色的純度要求。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯示裝置及其制備方法,以解決現有技術存在的問題中的至少一個。
為達到上述目的,本發明采用下述技術方案:
本發明第一方面提供了一種顯示裝置,包括顯示基板,還包括設置于所述顯示基板的出光側的濾光層,所述濾光層為含釹的金屬層。
本發明第一方面提供的顯示裝置采用含釹的金屬層作為濾光層,通過釹的物理特性可對顯示基板所發出的光中的紅色、綠色和藍色光譜進行部分吸收,以使得紅色、綠色和藍色光譜窄化,改善三原色的色純度,從而增強顯示裝置的色純度,滿足紅綠藍三原色的純色要求,提高顯示裝置的顯示畫質,有效改善顯示裝置中的有機材料的本征發光光譜較寬導致顯示色度不純、顏色鮮艷度不足的問題;另外,采用含釹的金屬層作為濾光層,相比于現有技術中的傳統的濾光片結構或微腔效應相比,可有效避免色分離問題或色偏現象,而且該含釹的金屬層的結構和工藝更加簡單,成本更低,并且厚度遠小于傳統的濾光片,滿足顯示裝置輕薄化的要求,對柔性顯示裝置的進一步推廣和發展具有重要的作用。
可選地,所述濾光層為釹金屬層。
可選地,所述濾光層為至少兩種金屬材料共摻制成的金屬層,所述金屬層中的釹含量大于等于60wt%。
該可選的實施方式采用至少兩種金屬材料共摻制成金屬層,從而可靈活調節對顯示基板所發出的光中的紅色、綠色和藍色光譜的吸收波長,進一步窄化紅色、綠色和藍色光譜,總體提升三原色的色純度;同時釹含量大于等于60wt%,保證釹金屬單質在吸收光子后,釹元素之間發生交叉馳豫,從而避免釹作為分立中心在吸收光子后發生自發光,對顯示裝置的發光造成干擾的現象。
可選地,所述濾光層的厚度小于等于15nm。
該可選的實施方式將濾光層的厚度設定為1-15nm,從而可滿足顯示裝置的光透過性要求,保證顯示裝置的顯示效果。
可選地,所述顯示裝置還包括設置在所述顯示基板與所述濾光層之間的封裝層。
可選地,所述顯示裝置還包括在所述濾光層的遠離所述封裝層的一側層疊設置的觸控感應層和蓋板。
可選地,所述顯示裝置為柔性顯示裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





