[發明專利]三維存儲器的制備方法及三維存儲器

在審

• 申請號: 202110583956.9
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN113314540A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 劉小欣;薛磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供所述襯底；

在所述襯底上依次形成待換層和所述堆疊結構，所述堆疊結構包括絕緣層和犧牲層；

蝕刻所述堆疊結構以形成所述柵極隔槽，所述柵極隔槽露出所述待換層；

將所述待換層替換成所述外延層；通過所述柵極隔槽對所述外延層進行第一摻雜以形成摻雜外延層。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟所述“在所述襯底上依次形成所述待換層和所述堆疊結構”和步驟所述“蝕刻所述堆疊結構以形成所述柵極隔槽，所述柵極隔槽露出所述待換層”之間，所述制備方法包括：

蝕刻所述堆疊結構以形成溝道孔，所述溝道孔露出所述襯底；

在所述溝道孔中形成NAND串。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述NAND串包括導電結構和設于所述導電結構外周的周壁，所述“將所述待換層替換成所述外延層”包括：

去除所述待換層，形成空隙，露出所述NAND串的所述周壁；

在所述空隙中形成所述外延層。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述空隙中形成所述外延層”之前，所述制備方法包括：

去除所述周壁在所述待換層的部分，露出部分所述導電結構，以使所述導電結構與后續工藝中的所述外延層接觸。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述空隙中形成所述外延層”之后，所述制備方法包括：

將所述犧牲層替換成柵極層。

6.如權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述“通過所述柵極隔槽對所述外延層進行第一摻雜以形成摻雜外延層”包括：

通過所述柵極隔槽對所述外延層進行第一摻雜，并進行加熱處理，以使所述外延層形成所述摻雜外延層。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述“通過所述柵極隔槽對所述外延層進行第一摻雜以形成摻雜外延層”之后，所述制備方法包括：

在所述柵極隔槽中形成陣列共源極。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述柵極隔槽中形成陣列共源極”包括：

對所述柵極隔槽的底部進行第二摻雜；

在所述柵極隔槽中形成導電體。

9.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器包括襯底、摻雜外延層和堆疊結構，所述摻雜外延層和所述堆疊結構依次形成于襯底上，所述堆疊結構具有柵極隔槽，所述柵極隔槽露出所述摻雜外延層，所述摻雜外延層通過所述柵極隔槽進行摻雜形成。