[發(fā)明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110583452.7
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN115148699A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設計）人: 張簡上煜;林南君;徐宏欣
• 申請（專利權）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/48;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;劉芳

本發(fā)明提供一種封裝結構及其制造方法，所述封裝結構包括重布線路層、第一芯片、介電體、第一連接線路、圖案化絕緣層、第二芯片以及第三芯片。第一芯片配置于重布線路層上且電連接重布線路層。介電體位于重布線路層上且包覆第一芯片。第一連接線路位于介電體上且電連接重布線路層。圖案化絕緣層覆蓋第一連接線路。部分的圖案化絕緣層嵌入介電體。第二芯片配置于介電體上且電連接于第一連接線路。第三芯片配置于重布線路層上且相對于第一芯片。第三芯片電連接重布線路層。

技術領域

本發(fā)明涉及一種封裝結構及其制造方法，尤其涉及一種具有多個芯片的封裝結構及其制造方法。

背景技術

為了使得電子產品能達到輕薄短小的設計，半導體封裝技術亦跟著日益進展，以發(fā)展出符合小體積、重量輕、高密度以及在市場上具有高競爭力等要求的產品。

而在具有多個芯片的芯片封裝結構中，如何在提升封裝結構的制造效率，且仍具有良好的質量及良率，實已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種芯片封裝結構及芯片封裝結構的制造方法，其可以集成(integrated)多個芯片且具有良好的質量及良率。

本發(fā)明的封裝結構包括重布線路層、第一芯片、介電體、第一連接線路、圖案化絕緣層、第二芯片以及第三芯片。第一芯片配置于重布線路層上且電連接重布線路層。介電體位于重布線路層上且包覆第一芯片。第一連接線路位于介電體上且電連接重布線路層。圖案化絕緣層覆蓋第一連接線路。部分的圖案化絕緣層嵌入介電體。第二芯片配置于介電體上且電連接于第一連接線路。第三芯片配置于重布線路層上且相對于第一芯片。第三芯片電連接重布線路層。

本發(fā)明的封裝結構的制造方法包括以下步驟：形成重布線路層于載板上；配置第一芯片于重布線路層上以電連接重布線路層；形成介電體于載板上，以覆蓋第一芯片；形成第一連接線路于載板上，且部分的第一連接線路貫穿介電體以電連接重布線路層；形成圖案化絕緣層于載板上，以覆蓋第一連接線路且嵌入介電體；配置第二芯片于介電體上且電連接于第一連接線路；以及移除載板，以配置第三芯片于重布線路層上且相對于第一芯片，且第三芯片電連接重布線路層。

基于上述，本發(fā)明的芯片封裝結構及芯片封裝結構的制造方法集成了多個芯片且具有良好的質量及良率。

附圖說明

圖1A至圖1H是依照本發(fā)明的第一實施例的一種封裝結構的部分制造方法的部分剖視示意圖；

圖1I是依照本發(fā)明的第一實施例的一種封裝結構的剖視示意圖；

圖1J是依照本發(fā)明的第一實施例的一種封裝結構的部分剖視示意圖；

圖2是依照本發(fā)明的第二實施例的一種封裝結構的剖視示意圖；

圖3是依照本發(fā)明的第三實施例的一種封裝結構的剖視示意圖。

附圖標記說明

100、200、300：封裝結構；

110：第一芯片；

110a：第一主動面；

110b：第一背面；

110c：第一側面；

120：第二芯片；

120a：第二主動面；

120b：第二背面；

120c：第二側面；

130：第三芯片；

130a：第三主動面；

130b：第三背面；

130c：第三側面；