[發(fā)明專利]籽晶鋪設方法和單晶硅鑄造方法

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• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113293434A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 陳紅榮;孫庚昕;張華利;汪晨
• 申請（專利權）人: 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種籽晶鋪設方法，其特征在于，包括如下步驟：

在鑄造容器底部鋪設多塊單晶籽晶，并將多塊所述單晶籽晶整體拼合成籽晶層，相鄰的兩塊所述單晶籽晶中相互拼接的兩個側(cè)面之間的晶向不同；多塊所述單晶籽晶包括至少一塊長方形籽晶與多塊第一正方形籽晶，多塊所述第一正方形籽晶拼接形成整體呈正方形的基礎籽晶部，所述長方形籽晶的長邊與所述基礎籽晶部的側(cè)邊對齊拼接，所述長方形籽晶的長邊長度與所述基礎籽晶部的側(cè)邊長度相等，所述長方形籽晶的短邊長度大于所述第一正方形籽晶的邊長。

2.根據(jù)權利要求1所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，所述長方形籽晶有兩塊以上，各所述長方形籽晶分別與所述基礎籽晶部中不同的側(cè)邊相拼接。

3.根據(jù)權利要求2所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，有兩塊所述長方形籽晶分別與所述基礎籽晶部中相鄰的兩側(cè)邊相拼接，多塊所述單晶籽晶中還包括至少一塊第二正方形籽晶，所述第二正方形籽晶的邊長與所述長方形籽晶短邊的長度相等，所述第二正方形籽晶中相鄰的兩個側(cè)邊分別與相鄰的兩塊所述長方形籽晶中相鄰的兩條短邊相拼接。

4.根據(jù)權利要求1所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，所述第一正方形籽晶的側(cè)邊長度大于所述長方形籽晶短邊長度的一半。

5.根據(jù)權利要求4所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，所述長方形籽晶的短邊長度比所述第一正方形籽晶的側(cè)邊長度長10mm以上。

6.根據(jù)權利要求4所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，所述長方形籽晶的短邊長度比所述第一正方形籽晶的側(cè)邊長度長10mm～30mm。

7.根據(jù)權利要求1～6任一項所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，在鄰接的所述單晶籽晶中，相互接觸的兩個側(cè)面之間的位向差為10°～90°。

8.根據(jù)權利要求1～6任一項所述的籽晶鋪設方法，其特征在于，所述第一正方形籽晶具有相對的第一生長面和第二生長面，在側(cè)面相拼接的兩個所述第一正方形籽晶中，其中一個的第一生長面朝上設置，另一個的第二生長面朝上設置。

9.一種單晶硅鑄造方法，其特征在于，包括根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的籽晶鋪設方法，所述單晶籽晶為單晶硅。

10.根據(jù)權利要求9所述的單晶硅鑄造方法，其特征在于，在將多塊所述單晶籽晶整體拼合為所述籽晶層之后，還包括如下步驟：

在所述鑄造容器中的籽晶層上鋪設硅料，加熱使所述硅料熔化，再降溫使熔化的硅料冷卻、長晶，形成硅錠；

以所述第一正方形籽晶邊長的長度為開方尺寸，沿各所述第一正方形籽晶側(cè)邊的方向分割所述硅錠，并沿所述長方形籽晶上與所述基礎籽晶部側(cè)邊相距開方尺寸之處分割所述硅錠。