[發(fā)明專利]用于包殼基體抗高溫氧化涂層以及制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110583063.4
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN113293354B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張騰飛;黃偉九;徐照英;廖海燕;蘇永要;阮海波
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶文理學(xué)院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;G21C3/07
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務(wù)所(普通合伙) 50211
• 代理人: 郭麗;郭云

1.一種用于包殼基體抗高溫氧化涂層，其特征在于：包括多層金屬涂層，所述多層金屬涂層包括依次設(shè)置于包殼基體的金屬M(fèi)o涂層、金屬Al涂層以及金屬Cr涂層；所述金屬M(fèi)o涂層的厚度為1-3μm，所述金屬Al涂層的厚度為1-5μm，所述金屬Cr涂層的厚度為5-10μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層，其特征在于：所述金屬M(fèi)o涂層的厚度為3μm，所述金屬Al涂層的厚度為5μm，所述金屬Cr涂層的厚度在10μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層，其特征在于：所述多層金屬涂層中，金屬M(fèi)o涂層、金屬Al涂層以及金屬Cr涂層均為納米晶結(jié)構(gòu)。

4.權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1,對包殼基體進(jìn)行研磨拋光處理、清洗以及干燥；

S2，對包殼基體表面進(jìn)行濺射清洗，去除表面氧化層和污染物；

S3，依次在包殼基體的表面濺射Mo靶、Al靶、Cr靶，使得包殼基體的表面依次形成金屬M(fèi)o涂層、金屬Al涂層以及金屬Cr涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于：在步驟S1中，研磨拋光后的包殼基體表面粗糙Ra在2-10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于：在步驟S2中，濺射氣體為Ar等離子體，濺射氣壓為3.0Pa，濺射脈沖偏負(fù)壓1000V，濺射時(shí)間為20min。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于：在步驟S3中，通過濺射氬氣調(diào)節(jié)氣壓為0.5Pa,濺射Mo靶時(shí)選用直流電源，濺射電流為0.3-0.7A，沉積時(shí)間為50-140min；濺射Al靶時(shí)選用中頻脈沖電源，濺射電流為0.5-0.7A，沉積時(shí)間120-220min；濺射Cr靶時(shí)選用中頻脈沖電源，濺射電流為0.5-0.7A，沉積時(shí)間為380-830min。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于：在步驟S3中，濺射Mo靶、Al靶以及Cr靶時(shí)均要對包殼基體施加50-200V直流負(fù)偏壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于包殼基體抗高溫氧化涂層的制備工藝，其特征在于：在步驟S3中，濺射Mo靶、Al靶以及Cr靶時(shí)均要對包殼基體施加200V直流負(fù)偏壓。