[發明專利]一種近紅外閃爍晶體及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202110582522.7 | 申請日： | 2021-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113293436A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 魏欽華;楊潔男;秦來順 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/02;C30B15/00;G01T1/202 |
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| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅外 閃爍 晶體 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種近紅外閃爍晶體，所述閃爍晶體的化學式為Cs4Eu1-yX6:ySm，其中X選自Cl、Br和I中至少一種；y的取值范圍為0.001≤y≤0.08。
2.如權利要求1所述的近紅外閃爍晶體，其特征在于，所述X取Cl、Br和I中的一種或者多種。
3.如權利要求1所述的近紅外閃爍晶體，其特征在于，所述的y的取值范圍為0.001≤y≤0.08。
4.如權利要求1～3任一項權利要求所述的近紅外閃爍晶體Cs4Eu1-xX6:ySm，其特征在于，所述晶體在高能射線或高能粒子激發下，能發射出700-1000nm之間的近紅外光。
5.如權利要求1～3任一項權利要求所述的近紅外閃爍晶體的制備方法，包括：將CsX、EuX2和SmX2粉體在保護氣氛下按照一定比例混合并加熱熔融后，進行晶體生長，從而獲得晶體，其中X選自Cl、Br和I中的一種或者多種。
6.如權利要求4所述的近紅外閃爍晶體的制備方法，其特征在于，所述將CsX粉體、EuX2粉體和SmX2粉體以摩爾比為4：(1-y)：y進行配料，充分混合后作為原料粉體，其中X選自Cl、Br和I中至少一種；0.001≤y≤0.08；以及利用所述原料粉體通過下降法、提拉法或熔融法生長所述Cs4Eu1-yX6:ySm近紅外閃爍晶體。
7.如權利要求1～3任一項權利要求所述的近紅外閃爍晶體的應用，其特征在于所 述的鹵化物近紅外閃爍晶體在伽馬射線探測或閃爍探測領域的應用。
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