[發明專利]一種旋轉結構的制備方法

在審

• 申請號: 202110582001.1
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113307224A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 劉京;焦繼偉;費躍;陳思奇
• 申請（專利權）人: 上海芯物科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種旋轉結構的制備方法，用于制備靜電驅動的旋轉結構，其特征在于，所述旋轉結構包括斜坡結構和可旋轉結構；

所述制備方法包括：

提供襯底和掩膜版，所述掩膜版包括第一曝光口和第二曝光口；

通過所述掩膜版對所述襯底進行掩模曝光的同時勻速移動所述襯底，以在所述襯底上形成斜坡結構，所述斜坡結構包括第一斜坡面和第二斜坡面；

制備可旋轉結構和電極結構，所述電極結構包括第一電極和第二電極，所述第一電極與所述斜坡結構電連接，所述第二電極與所述可旋轉結構電連接，所述可旋轉結構用于根據所述第一電極和所述第二電極之間的靜電力進行旋轉。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過所述掩膜版對所述襯底進行掩模曝光的同時勻速移動所述襯底，以在所述襯底上形成斜坡結構，包括：

在所述襯底一側制備第一氧化層并對所述第一氧化層進行圖案化，所述第一氧化層暴露所述斜坡結構的制備區域；

在所述第一氧化層遠離所述襯底一側以及所述第一氧化層暴露區域制備光刻膠；

通過所述掩膜版對所述光刻膠進行掩模曝光的同時勻速移動所述襯底，以在所述光刻膠上形成光刻膠斜坡結構；

通過所述光刻膠斜坡結構對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底上形成斜坡結構。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，在所述襯底一側制備第一氧化層并對所述第一氧化層進行圖案化之前還包括：

在所述襯底一側制備氧化保護層并圖案化所述氧化保護層，所述氧化保護層覆蓋所述斜坡結構的制備區域；

對所述氧化保護層暴露的區域進行熱氧化處理，所述氧化保護層暴露的區域形成氧化結構；

去除所述氧化保護層和所述氧化結構，以使所述斜坡結構的制備區域的表面高于所述斜坡結構的非制備區域。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

調節所述斜坡結構與所述可旋轉結構之間的距離。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜版還包括位于所述第一曝光口和所述第二曝光口之間的隔離掩模結構；

調節所述斜坡結構與所述可旋轉結構之間的距離，包括：

通過調節所述第一氧化層的厚度、所述氧化結構的厚度以及所述隔離掩模結構的寬度中的至少一種，調節所述斜坡結構與所述可旋轉結構之間的距離。

6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，制備可旋轉結構和電極結構，包括：

提供第一半導體層，并鍵合所述第一半導體層和所述第一氧化層；

圖案化所述第一半導體層，得到可旋轉結構并在所述第一半導體層得到第一電極制備窗口，所述第一電極制備窗口暴露所述第一氧化層；

通過所述第一電極制備窗口刻蝕所述第一氧化層以暴露所述襯底；

在所述第一電極制備窗口位置處對應的所述襯底表面制備第一電極，在所述可旋轉結構遠離所述襯底的一側制備第二電極，在所述第一半導體層遠離所述襯底的一側表面制備第二電極接線端子，所述第二電極接線端子與所述第二電極電連接。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，通過所述第一電極制備窗口刻蝕所述第一氧化層以暴露所述襯底，包括：

通過所述第一電極制備窗口對所述第一氧化層進行過刻蝕，所述第一氧化層的刻蝕面積大于所述第一電極制備窗口的暴露面積；

在所述第一電極制備窗口位置處對應的所述襯底表面制備第一電極，在所述可旋轉結構遠離所述襯底的一側制備第二電極，在所述第一半導體層遠離所述襯底的一側表面制備第二電極接線端子，包括：

在所述第一半導體層遠離所述襯底一側沉積金屬層，所述金屬層在所述第一電極制備窗口位置處斷開；位于所述第一電極制備窗口位置處的所述金屬層為所述第一電極，位于所述可旋轉結構遠離所述襯底的一側的金屬層為所述第二電極，位于所述第一半導體層遠離所述襯底的一側的金屬層為所述第二電極接線端子。