[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體用硅靶材的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110581999.3 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113199106A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學(xué)澤;侯娟華 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | B23K1/20 | 分類號： | B23K1/20;B23K1/08;B23K3/08 |
| 代理公司： | 北京遠(yuǎn)智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 用硅靶材 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體用硅靶材的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
對所述硅靶材的焊接面進(jìn)行鍍鎳處理以及焊接銅絲處理；
將所述靶材置于加熱平臺，0.4～0.5MPa加壓條件下使焊料充分浸潤焊接面；
將所述硅靶材與背板扣合進(jìn)行釬焊，冷卻后完成制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述鍍鎳處理的方法為PVD鍍鎳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述銅絲的直徑為0.5～0.8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述加熱平臺的溫度為200～220℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述浸潤的時間為10～30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的制作方法，其特征在于，所述釬焊的時間為不低于2min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的制作方法，其特征在于，所述冷卻為加壓冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述加壓冷卻的時間為10～30min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
對所述硅靶材的焊接面進(jìn)行PVD鍍鎳處理以及焊接銅絲處理，所述銅絲的直徑為0.5～0.8mm；
將所述靶材置于加熱平臺，所述加熱平臺的溫度為200～220℃，加壓0.4～0.5MPa條件下使焊料充分浸潤焊接面10～30min；
將所述硅靶材與背板扣合進(jìn)行釬焊不低于2min，加壓冷卻10～30min后完成制作。
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